氮化鎵（GaN），是第三代半導體材料中研究最為深入的兩種產品之一，與另一種產品碳化硅（SiC）相比，氮化鎵的電子遷移率更高，可以應用在高頻、高速光電器件中。芯片是功率器件的核心元件，氮化鎵功率芯片具有耐熱性好、開關轉換速度快、功率密度大等優點，消費電子氮化鎵快充是其代表性應用領域之一。
智能手機更新迭代速度加快，功能集成度不斷提高，續航面臨挑戰。為保證手感，手機的厚度與重量受到限制，電池容量在現有的基礎上難以大幅提升。當手機電池技術沒有重大突破之前，快充成為解決續航問題的重要手段。氮化鎵快充在保證小體積與輕重量的前提下，其充電速度得到大幅提高，使得手機充電時間大幅縮短，因此智能手機成為氮化鎵功率芯片的重要下游市場。
除智能手機外，筆記本電腦、平板電腦等采用氮化鎵快充的比例也在不斷提高，預計到2025年，全球氮化鎵快充市場規模將達到600億元以上，利好氮化鎵功率芯片行業發展。氮化鎵功率芯片的應用領域還在不斷拓寬，在新能源汽車領域，可用于車載充電器、DC/AC逆變器等方面，還可以應用在數據中心等領域。根據新思界產業研究中心發布的
《2021-2025年氮化鎵功率芯片行業深度市場調研及投資策略建議報告》顯示，預計2020-2025年，全球氮化鎵功率芯片市場將以68%左右的增速迅猛增長，到2025年市場規模將達到42億元左右。
在全球范圍內，氮化鎵功率芯片領先生產商主要是美國Power Integrations、美國納微半導體（Navitas）、中國英諾賽科（Innoscience）等，這三家企業氮化鎵功率芯片出貨量位居全球前三，合計出貨量占比達到70%以上。中國是全球最大的智能手機生產國，國內市場對氮化鎵功率芯片需求旺盛，例如OPPO有型號手機采用Power Integrations產品，小米有型號手機采用納微半導體產品。在新冠疫情、中美貿易摩擦背景下，在中國設有工廠的納微半導體以及本土的英諾賽科未來發展空間更大。
新思界
行業分析人士表示，在目前功率芯片市場中，硅基功率芯片仍處于主導地位，市場份額占比達到9成左右，以第三代半導體材料制造而成的功率芯片份額占比小，氮化鎵功率芯片市場份額占比極低。但與傳統的硅基功率芯片相比，氮化鎵功率芯片性能優勢明顯，與同為第三代的碳化硅功率芯片相比，氮化鎵功率芯片價格優勢明顯，因此未來氮化鎵功率芯片市場份額占比有望持續提高。
