InGaN，氮化銦鎵，也稱為銦鎵氮，是利用氮化銦和氮化鎵所形成的三元化合物半導(dǎo)體。氮化銦鎵是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，其能隙范圍能夠隨著銦組分摩爾分數(shù)的變化而變動，是一種理想的光電子、微電子材料，可以廣泛應(yīng)用在照明、顯示等產(chǎn)業(yè)中。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2021-2025年氮化銦鎵（InGaN）行業(yè)深度市場調(diào)研及投資策略建議報告》顯示，氮化銦鎵在可見光領(lǐng)域市場潛力大，是藍色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管、紫外線發(fā)光二極管的關(guān)鍵材料，可用來制造無熒光粉LED照明、Micro LED顯示、太陽能電池等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用在照明、智能手機、可穿戴智能設(shè)備、家電、光伏發(fā)電等行業(yè)中。
LED是半導(dǎo)體光源，具有體積小、能耗低、發(fā)光效率高、使用壽命長等優(yōu)點。在技術(shù)升級過程中，LED照明面臨的挑戰(zhàn)是在單個LED芯片中集成紅光、綠光、藍光，主要是由于將實現(xiàn)紅光的磷化銦鎵與實現(xiàn)藍光、綠光的氮化銦鎵組合在一起難度大。2020年，沙特阿拉伯的阿卜杜拉國王科技大學(xué)研究人員成功制造出基于自然發(fā)藍光的半導(dǎo)體氮化銦鎵的紅色LED，有利于推動LED照明技術(shù)發(fā)展。
Micro LED是微米發(fā)光二極管，是小間距LED，具有小且薄、分辨率高、對比度高、功耗低、使用壽命長等優(yōu)點，是新一代顯示技術(shù)，但其量產(chǎn)難度大，其中一個難點即缺乏高效可靠紅光Micro LED芯片。2019年，瑞典皇家科學(xué)院院士拉斯•薩繆爾松研究團隊開發(fā)出包含紅、綠、藍三色的氮化銦鎵MicroLED，并從實驗室推廣到了工業(yè)實踐階段。
在我國，從研究方面來看，2020年，南昌大學(xué)江風(fēng)益院士課題組基于硅襯底氮化硅技術(shù)，引入銦鎵氮紅光量子阱與黃光量子阱交替生長方法，結(jié)合V型坑技術(shù)，成功制備了高效InGaN基橙-紅光LED。從產(chǎn)業(yè)化方面來看，聯(lián)創(chuàng)光電是國家銦鎵氮LED外延片、芯片產(chǎn)業(yè)化示范工程企業(yè)。從國內(nèi)外來看，高校、研究機構(gòu)、企業(yè)等紛紛進入氮化銦鎵領(lǐng)域布局，有利于推動氮化銦鎵技術(shù)進步及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
新思界
行業(yè)分析人士表示，LED照明已經(jīng)替代了傳統(tǒng)照明，且技術(shù)還在不斷升級；Micro LED優(yōu)點突出，是LED顯示未來發(fā)展趨勢，若技術(shù)瓶頸得到突破，市場規(guī)模有望迅速擴大。僅從照明以及顯示領(lǐng)域來看，氮化銦鎵未來市場空間廣闊，疊加光伏以及其他新興應(yīng)用領(lǐng)域需求，氮化銦鎵行業(yè)前途光明。目前，我國已有高校、企業(yè)布局氮化銦鎵市場，未來率先實現(xiàn)量產(chǎn)、得到客戶認可的企業(yè)發(fā)展?jié)摿Υ蟆?/div>
