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量子阱紅外探測(cè)器（QWIP）市場(chǎng)規(guī)模較小發(fā)展前景良好

2022-05-20 17:29 責(zé)任編輯：周圓來(lái)源：www.heb-baidu.cn 點(diǎn)擊：次

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量子阱紅外探測(cè)器（QWIP）市場(chǎng)規(guī)模較小發(fā)展前景良好

　　量子阱紅外探測(cè)器，英文簡(jiǎn)稱QWIP，是制冷型紅外探測(cè)器的一種，其采用的材料在能帶結(jié)構(gòu)上構(gòu)成電子或空穴勢(shì)阱，一般采用III-V族半導(dǎo)體材料，包括光導(dǎo)型量子阱材料、光伏型量子阱材料兩大類。量子阱紅外探測(cè)器使用的量子阱材料種類正在不斷增多，現(xiàn)階段常見(jiàn)的產(chǎn)品主要有GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs、InGaAs/InP、InGaAsP/InP、SiGe/Si等，其中，GaAs/AlGaAs（砷化鎵/鋁砷化鎵）量子阱紅外探測(cè)器是主流產(chǎn)品類型。

　　目前量子阱材料生長(zhǎng)工藝成熟、生長(zhǎng)過(guò)程易于控制、適合規(guī)模化生產(chǎn)、成本較低，且產(chǎn)品均勻度高、熱穩(wěn)定性好、耐輻射性優(yōu)，制造而成的量子阱紅外探測(cè)器具有低暗電流、熱靈敏度高、響應(yīng)速度快、無(wú)光譜串?dāng)_等優(yōu)點(diǎn)。但量子阱紅外探測(cè)器也存在垂直入射光吸收率低、紅外響應(yīng)波段較窄等缺點(diǎn)。目前，制冷型紅外探測(cè)器產(chǎn)品中，碲鎘汞探測(cè)器、銻化銦探測(cè)器應(yīng)用最為廣泛，二類超晶格探測(cè)器發(fā)展?jié)摿Ω蟆?/div>

　　根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)量子阱紅外探測(cè)器（QWIP）行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示，量子阱紅外探測(cè)器的量子效率較低，但常用的GaAs/AlGaAs量子阱材料制備工藝成熟，鎵、砷、鋁之間共價(jià)鍵結(jié)合，互作用力大，產(chǎn)品性質(zhì)穩(wěn)定，可制造多色譜大陣列紅外探測(cè)器，在多色與甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，易于規(guī)模化應(yīng)用，適于產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。因此量子阱紅外探測(cè)器仍是重要的第三代紅外探測(cè)器產(chǎn)品類型之一，在軍工國(guó)防、航空航天、天文物理等領(lǐng)域擁有廣闊市場(chǎng)前景。

　　量子阱紅外探測(cè)器于20世紀(jì)80年代被美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室科學(xué)家研發(fā)問(wèn)世，最先問(wèn)世的是GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器，至今其研究時(shí)間較長(zhǎng)，技術(shù)已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。我國(guó)量子阱紅外探測(cè)器研究起步晚于美國(guó)，近年來(lái)研究成果不斷問(wèn)世，2017年，昆明物理研究所研制出陣列規(guī)模640×512、中心距20μm的偏振長(zhǎng)波量子阱紅外探測(cè)器以及紅外面陣探測(cè)器芯片，具有較高物理分辨率并可以獲取被測(cè)物體的偏振信息，提升了產(chǎn)品探測(cè)性能。

　　新思界行業(yè)分析人士表示，2021年，全球紅外探測(cè)器市場(chǎng)規(guī)模約為5.3億美元，預(yù)計(jì)2021-2026年將以6.3%左右的年均復(fù)合增速增長(zhǎng)，到2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到7.2億美元以上。量子阱紅外探測(cè)器需要工作在低溫條件下，應(yīng)用領(lǐng)域較窄，且性能存在一些缺陷，在全球紅外探測(cè)器市場(chǎng)中份額占比較小，但其在部分應(yīng)用領(lǐng)域中具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，因此未來(lái)仍有發(fā)展空間。

關(guān)鍵字：紅外探測(cè)器量子阱紅外探測(cè)器 QWIP