量子阱紅外探測器，英文簡稱QWIP，是制冷型紅外探測器的一種，其采用的材料在能帶結構上構成電子或空穴勢阱，一般采用III-V族半導體材料，包括光導型量子阱材料、光伏型量子阱材料兩大類。量子阱紅外探測器使用的量子阱材料種類正在不斷增多，現階段常見的產品主要有GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs、InGaAs/InP、InGaAsP/InP、SiGe/Si等，其中，GaAs/AlGaAs（砷化鎵/鋁砷化鎵）量子阱紅外探測器是主流產品類型。
目前量子阱材料生長工藝成熟、生長過程易于控制、適合規模化生產、成本較低，且產品均勻度高、熱穩定性好、耐輻射性優，制造而成的量子阱紅外探測器具有低暗電流、熱靈敏度高、響應速度快、無光譜串擾等優點。但量子阱紅外探測器也存在垂直入射光吸收率低、紅外響應波段較窄等缺點。目前，制冷型紅外探測器產品中，碲鎘汞探測器、銻化銦探測器應用最為廣泛，二類超晶格探測器發展潛力更大。
根據新思界產業研究中心發布的
《2022-2027年中國量子阱紅外探測器（QWIP）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，量子阱紅外探測器的量子效率較低，但常用的GaAs/AlGaAs量子阱材料制備工藝成熟，鎵、砷、鋁之間共價鍵結合，互作用力大，產品性質穩定，可制造多色譜大陣列紅外探測器，在多色與甚長波紅外探測方面具有獨特優勢，易于規模化應用，適于產業化發展。因此量子阱紅外探測器仍是重要的第三代紅外探測器產品類型之一，在軍工國防、航空航天、天文物理等領域擁有廣闊市場前景。
量子阱紅外探測器于20世紀80年代被美國貝爾實驗室科學家研發問世，最先問世的是GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器，至今其研究時間較長，技術已經取得了長足進步。我國量子阱紅外探測器研究起步晚于美國，近年來研究成果不斷問世，2017年，昆明物理研究所研制出陣列規模640×512、中心距20μm的偏振長波量子阱紅外探測器以及紅外面陣探測器芯片，具有較高物理分辨率并可以獲取被測物體的偏振信息，提升了產品探測性能。
新思界
行業分析人士表示，2021年，全球紅外探測器市場規模約為5.3億美元，預計2021-2026年將以6.3%左右的年均復合增速增長，到2026年市場規模將達到7.2億美元以上。量子阱紅外探測器需要工作在低溫條件下，應用領域較窄，且性能存在一些缺陷，在全球紅外探測器市場中份額占比較小，但其在部分應用領域中具有較強競爭優勢，因此未來仍有發展空間。
