氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體。根據襯底不同，氮化鎵可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料的典型代表，具有熱導率高、禁帶寬度大、擊穿電場高、抗輻射能力強、電子飽和速率高等特點，因此采用氮化鎵制備的半導體器件多為適用于高電壓、高頻率場景的高頻和高功率電子器件。
氮化鎵產業鏈上游為原材料供應商，主要包括硝酸鹽、金屬鎵等；中游為氮化鎵制備生產商，主要制備方法包括氣相法和熔體法，主要IDM模式企業包括英諾賽、江蘇能化、華功半導體、大連芯冠、蘇州能訊、Cree、Infineon、NXPO、Qorvo等；下游為應用市場，主要包括功率器件、射頻器件、光電器件等；終端為無線充電、電源開關、逆變器、5G基站、衛星等領域。
根據新思界發布的
《2022-2026年中國氮化鎵行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，近年來，全球氮化鎵器件市場規模不斷擴大，從2018年的116.54億美元增長至2021年的219.22億美元，2018-2021年復合增長率為17.22%。從應用市場來看，2021年光電氮化鎵器件占比市場份額最大，為65%；其次為射頻氮化鎵器件以及功率氮化鎵器件，占比分別為30%與5%。
從射頻器件領域來看，射頻氮化鎵器件主要應用于5G基站、衛星、雷達等領域。近年來，國內5G基站數量不斷增加，根據《數字中國發展報告（2021年）》數據顯示，截至2021年底，我國已建成142.5萬個5G基站，總量占全球60%以上，全年新建5G基站超過65萬個。同時，我國軍用雷達市場規模也在不斷擴大，2021年其市場規模約為172億元。在此背景下，2021年我國射頻氮化鎵器件市場規模約為105億元，同比增長48.8%。
從功率器件領域來看，功率氮化鎵器件主要應用于快充、逆變器、汽車電子電源開關、高端服務器領域。其中快充是其典型應用領域，目前全球手機龍頭廠商如華為、三星、蘋果、小米等均有布局氮化鎵技術，氮化鎵快充器市場需求不斷增加，帶動氮化鎵市場規模不斷擴大。預計消費電源領域氮化鎵市場規模將從2021年的0.49億美元增長至3.99億美元。新思界
產業分析人員表示，未來在氮化鎵器件應用領域不斷擴大背景下，氮化鎵市場需求將不斷增加，行業發展潛力巨大。
