磷化銦單晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半導體，分子式為InP，外觀呈深灰色晶體狀。磷化銦單晶是第三代半導體材料，可在光電子技術、微波技術、太陽能動力技術等領域實現廣泛應用。
目前磷化銦單晶生長方法有多種，主要包括液封直拉法（LEC法）、垂直布里奇曼法（VB法）、垂直溫度梯度凝固法（VGF法）等。其中LEC法生產成本高、晶體應力較大、工藝流程復雜，不適宜磷化銦單晶的規模化量產；VB法生長晶體應力大、晶體生長不可見，不利于大尺寸磷化銦單晶的量產。基于此，VGF法是目前磷化銦單晶的常用生長方法，該方法規避了LEC法缺點，具有位錯密度低、晶體應力小、晶體生長條件可控、可實現大尺寸晶體量產等優點。
磷化銦單晶有著較高的技術壁壘，目前關鍵技術仍掌握在美、日等發達國家手中，如美國AXT、日本住友等。我國對磷化銦單晶的研究始于20世紀70年代，與發達國家相比，起步時間較晚、技術經驗儲備不足，因此，本土企業在大尺寸、創新型、高端化磷化銦單晶的研發進程還比較落后，行業仍有巨大成長空間。
國內布局磷化銦單晶市場的企業數量較多，主要企業包括云南鍺業、東一晶體、中科晶電、北京通美、先導稀材、鼎泰芯源等，但多數企業仍處于研發階段。目前國內僅有北京通美一家企業具備磷化銦單晶襯底量產能力，未來本土企業仍需加大關鍵技術攻克力度，促進磷化銦單晶及其相關產品研發進程不斷加快。
新思界
行業分析人士表示，磷化銦單晶是第三代半導體材料，其性能優異、應用廣泛，目前已成為光模塊器件、傳感器件、射頻器件高端化、高頻化升級的關鍵材料。伴隨著下游高新技術產業快速發展，磷化銦單晶市場規模逐步擴大，行業展現出良好發展前景。但全球磷化銦單晶關鍵技術仍由美、日企業所壟斷，本土企業技術水平還比較低，未來企業還需持續加快研發進程，行業成長空間巨大。
