硅電容器，簡稱Si-Cap，是指以硅材料為介電層，采用半導(dǎo)體制造工藝制作而成的電容器。與主流電容器MLCC（片式多層陶瓷電容器）相比，硅電容器有著更優(yōu)異的穩(wěn)定性、可靠性、耐溫性、耐老化性、低背化、絕緣阻抗性和更高的頻率、容量等，是一類高性能、高附加值的電容器，在通訊基站、毫米波T/R組件、LC濾波器、汽車、植入式醫(yī)療系統(tǒng)、手機終端、軍用雷達、航空航天等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
硅電容器是近幾年研發(fā)出來的一類新型電容器，憑借著超小尺寸、高頻響應(yīng)、低電阻、高可靠性等優(yōu)勢率先在航空、軍事領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。直至2021年前后，在下游電子產(chǎn)品小型化發(fā)展趨勢逐步攀升、終端領(lǐng)域?qū)﹄娙萜饕蟛粩嗵嵘⑾嚓P(guān)企業(yè)不斷突破關(guān)鍵技術(shù)背景下，硅電容器民用市場才開始起步，在醫(yī)療、電子、通訊領(lǐng)域展現(xiàn)出良好發(fā)展前景，未來市場空間還有待持續(xù)擴展。
硅電容器技術(shù)、研發(fā)壁壘較高，全球范圍內(nèi)，布局該領(lǐng)域的企業(yè)主要有日本村田制作所、法國IPDIA、美國Microchip、美國AVX、美國Vishay等國際企業(yè)以及臺灣積體電路制造（臺積電）、大連宏衍微電子、深圳運通極芯科技等中國企業(yè)。
其中村田制作所與臺積電是全球市場中唯二兩家實現(xiàn)硅電容器規(guī)模化量產(chǎn)的企業(yè)，且村田制作所在硅電容器領(lǐng)域起步時間早于臺積電，并于2016年收購了法國IPDiA頭部硅電容器公司，因此，村田制作所硅電容器技術(shù)領(lǐng)先全球。2023年6月，村田制作所宣布投資約100億日元將硅電容器產(chǎn)能提升兩倍，未來隨著產(chǎn)能不斷提升，其有望加快搶占全球市場份額，占據(jù)市場主導(dǎo)地位。
從中國大陸市場來看，我國具備硅電容器生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量較少，宏衍微電子與運通極芯科技兩家企業(yè)為國內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)。在技術(shù)方面，宏衍微電子的3D硅電容器綜合技術(shù)性能已達到村田的70%左右，部分單點特性可優(yōu)于村田；運通極芯科技成功研制出3D高密度硅電容器，擁有相關(guān)技術(shù)的全部知識產(chǎn)權(quán)，技術(shù)工藝已達國際領(lǐng)先水平。新思界
行業(yè)分析人士表示，目前國內(nèi)硅電容器企業(yè)在技術(shù)方面已實現(xiàn)較大突破，但距離實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)還有較長的路要走，未來行業(yè)成長空間巨大。
