硅基氮化鎵（GaN-on-Si）是指由硅和氮化鎵組成的復合材料，其兼具硅和氮化鎵兩者優勢性能，有著優異的熱穩定性、電磁屏蔽性、絕緣性、耐腐蝕性、環保性、抗拉強度以及更寬的工作溫限等，可廣泛用于電子元件、電子器件、功率器件、熱敏器件、熱敏元件等產品制造場景，終端應用涉及5G通信、數據中心、汽車、大功率快充充電器、雷達、航空航天等領域。
硅基氮化鎵屬于第三代先進化合物半導體材料的一種，其制造工藝為將氮化鎵器件直接生長在硅基襯底上的技術，屬于氮化硅外延片技術的一種，為實現低成本、大批量生產氮化硅器件奠定了良好基礎。
硅基氮化鎵性能優異，目前已在手機充電、汽車充電樁中實現廣泛應用。使用硅基氮化鎵制備而成的充電器有著比普通充電器更快的充電速度、更高的功率輸出、更低的能量損耗、更小的發熱幾率等，應用優勢較高。同時，硅基氮化鎵還可用于功率放大器、射頻開關、濾波器等射頻器件制造場景。未來隨著相關技術不斷升級，硅基氮化鎵在激光雷達、智能駕駛、航空航天等高新技術領域也有著廣闊應用前景，市場發展空間廣闊。
全球范圍內，布局硅基氮化鎵市場的企業主要有瑞士意法半導體、美國德州儀器、德國英飛凌、美國Transphorm、美國Navitas以及江西兆馳半導體、同輝電子科技、佛山國星半導體技術、上海中晟光電設備、山西芯輝半導體科技、浙江芯科半導體、江蘇麗雋功率半導體、華潤微電子等中國企業。
新思界
行業分析人士表示，硅基氮化鎵是第三代化合物半導體材料的一種，有著耐高溫、兼容性高、熱導率高、寬帶隙等優點，在5G通信、電子、汽車、數據中心等領域應用廣泛，近年來隨著下游市場快速發展，其需求不斷增加，行業展現出良好發展前景。目前全球已有眾多企業布局硅基氮化鎵市場，未來隨著企業技術不斷升級，行業發展速度有望持續加快。
