PIN光電二極管(PIN-PD),也稱為PIN二極管、PIN結二極管、PIN光電探測器,與PN結二極管相比,其在P型半導體與N型半導體之間加入本征半導體I層,形成P-I-N結構,性能更為優越,是一種半導體光電探測器。
PIN光電二極管的P型半導體與N型半導體摻雜濃度高,但加入的I層本征半導體摻雜濃度低,因此可以增大耗盡層厚度。光照射PIN光電二極管時,絕大多數入射光在耗盡層電離產生電子-空穴對,施加電壓形成電場,使電子、空穴分別向正負電極漂移,形成電流,而P型層與N型層厚度薄,入射光吸收比例低,因此可以提高響應速度。通過測量PIN光電二極管形成的電流量即可完成光探測。
PIN光電二極管的功能主要是檢測光信號,并轉換為電信號,具有靈敏度高、響應速度快、頻帶范圍寬、線性輸出范圍寬、噪聲低、結構簡單、體積小、環境適應性強等特點,可以廣泛應用在通信、消費電子、汽車、雷達、儀器儀表、電力、醫療器械、工業設備、航空航天、科研等領域。
PIN光電二極管是一種重要的半導體探測器,可以探測輻射,以硅為基體制造而成的硅PIN探測器,可以對帶電粒子、高能射線進行探測以及能譜分析。由于硅PIN探測器是在傳統P-N結探測器基礎上改進得到,其性能更為優異,在部分應用領域,可以替代P-N結探測器性能最優的細分產品金硅面壘探測器使用。
新思界
行業分析人士表示,我國市場對PIN光電二極管需求不斷增大,同時我國政策對輻射探測器研發支持力度不斷加大,PIN探測器作為一種重要的輻射探測器,研究步伐不斷加快,中國工程物理研究院等已經開發出高性能硅PIN探測器。
在全球范圍內,PIN光電二極管市場參與者主要有安森美(ON Semiconductor)、霍尼韋爾(Honeywell)、思佳訊(Skyworks)、英飛凌(Infineon)、威世(Vishay)、微信半導體(Microchip、)愛彼思(Albis)、歐司朗(OSRAM)、濱松光子(Hamamatsu)、First Sensor、Kyosemi Corporation、Hamamatsu Photonics等。