PIN光電二極管（PIN-PD），也稱為PIN二極管、PIN結二極管、PIN光電探測器，與PN結二極管相比，其在P型半導體與N型半導體之間加入本征半導體I層，形成P-I-N結構，性能更為優越，是一種半導體光電探測器。
PIN光電二極管的P型半導體與N型半導體摻雜濃度高，但加入的I層本征半導體摻雜濃度低，因此可以增大耗盡層厚度。光照射PIN光電二極管時，絕大多數入射光在耗盡層電離產生電子-空穴對，施加電壓形成電場，使電子、空穴分別向正負電極漂移，形成電流，而P型層與N型層厚度薄，入射光吸收比例低，因此可以提高響應速度。通過測量PIN光電二極管形成的電流量即可完成光探測。
PIN光電二極管的功能主要是檢測光信號，并轉換為電信號，具有靈敏度高、響應速度快、頻帶范圍寬、線性輸出范圍寬、噪聲低、結構簡單、體積小、環境適應性強等特點，可以廣泛應用在通信、消費電子、汽車、雷達、儀器儀表、電力、醫療器械、工業設備、航空航天、科研等領域。
PIN光電二極管是一種重要的半導體探測器，可以探測輻射，以硅為基體制造而成的硅PIN探測器，可以對帶電粒子、高能射線進行探測以及能譜分析。由于硅PIN探測器是在傳統P-N結探測器基礎上改進得到，其性能更為優異，在部分應用領域，可以替代P-N結探測器性能最優的細分產品金硅面壘探測器使用。
新思界
行業分析人士表示，我國市場對PIN光電二極管需求不斷增大，同時我國政策對輻射探測器研發支持力度不斷加大，PIN探測器作為一種重要的輻射探測器，研究步伐不斷加快，中國工程物理研究院等已經開發出高性能硅PIN探測器。
在全球范圍內，PIN光電二極管市場參與者主要有安森美（ON Semiconductor）、霍尼韋爾（Honeywell）、思佳訊（Skyworks）、英飛凌（Infineon）、威世（Vishay）、微信半導體（Microchip、）愛彼思（Albis）、歐司朗（OSRAM）、濱松光子（Hamamatsu）、First Sensor、Kyosemi Corporation、Hamamatsu Photonics等。
