雙擴散金屬氧化物半導體簡稱DMOS，是MOS管的一種。MOS管全稱為金屬氧化物半導體場效應管，又稱為MOSFET，是一種利用改變電壓來控制電流的半導體器件。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年雙擴散金屬氧化物半導體（DMOS）行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，MOS管在汽車電子、消費電子、通訊等領域應用廣泛，其中汽車電子是主要應用領域，2023年占比達24.0%以上。近年來，MOS管發展迅速，2023年我國MOS管市場規模達50億美元以上。DMOS作為其細分產品，市場規模也處于增長態勢。
根據溝道方向不同，DMOS分為垂直雙擴散金屬氧化物半導體（VDMOS）、橫向雙擴散金屬氧化物半導體（LDMOS），兩者各具特點。VDMOS具有垂直溝道，擊穿電壓和電流處理能力更高，但導通電阻較大；LDMOS具有橫向溝道，相比于VDMOS器件，其導通電阻更低、開關速度更快。
VDMOS分為常規VDMOS和超結VDMOS，其中超結VDMOS是在常規VDMOS基礎上，引入超結結構得到。超結VDMOS主要有多次外延工藝、深槽刻蝕加摻雜工藝兩種實現方式。多次外延工藝難度較低，但超結結構需要多次外延和光刻，導致其制造成本較高；深槽刻蝕加摻雜工藝成本低，根據摻雜方式不同，其分為深槽刻蝕加外延填充、深槽刻蝕加斜角注入摻雜、深槽刻蝕加氣相摻雜等工藝。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年中國垂直雙擴散金屬氧化物半導體（超結VDMOS）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，超結VDMOS具有低電阻、高導通能力、開關速度快、熱穩定性好等特點，在高功率電子器件中應用廣泛，目前已在電動工具、噴墨打印、電源開關、消費電子、汽車電子、通訊電源等產品中得到廣泛應用。
導通電阻、擊穿電壓、開啟電壓、柵源漏電等是MOS管的關鍵參數，由于其通態功耗較高，導通電阻受擊穿電壓限制而存在“硅極限”。超結VDMOS克服了MOS管存在的導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的問題，系統效率更高，隨著需求升級，未來超結VDMOS應用將更加廣泛。
全球范圍內，DMOS相關企業有安森美半導體公司、意法半導體公司、英飛凌科技、Wolfspeed公司、Fairchild公司、富士電機、上海華虹半導體、龍騰半導體等。
新思界
行業分析人士表示，DMOS出現于上世紀70年代，憑借其優勢，DMOS在消費電子、汽車電子、噴墨打印、電源開關等領域得到了廣泛應用。我國是全球電子器件制造中心，DMOS市場需求空間廣闊，尤其是超結VDMOS。經過不斷發展，國產DMOS與進口DMOS之間的差距逐漸縮小，但在高端DMOS領域，國外企業仍具有明顯競爭優勢。
