立方硫化鋅，硫化鋅晶體的一種，由硫原子、鋅原子各自形成面心立方晶格，沿對角線平移對角線長度的四分之一套構(gòu)而成，其晶體結(jié)構(gòu)特點是，硫原子呈立方密堆積，鋅原子填充二分之一的由硫原子構(gòu)成的四面體空隙中。立方硫化鋅是最具代表性的閃鋅礦結(jié)構(gòu)化合物，因此閃鋅礦結(jié)構(gòu)又稱立方硫化鋅結(jié)構(gòu)。
硫化鋅（ZnS），無機化合物，可用作半導(dǎo)體材料、紅外光學(xué)材料、熒光材料。硫化鋅是II-VI族本征半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大，具有優(yōu)良的光學(xué)特性，在紅外波段分散度低，擁有熒光效應(yīng)、電致發(fā)光特點，可以應(yīng)用在紅外窗口、激光器、傳感器、平板顯示等領(lǐng)域。
立方硫化鋅制備工藝包括：水熱法，可高效制備出立方硫化鋅晶體、立方硫化鋅空心微球，得到的立方硫化鋅空心微球存在藍光、綠光兩個發(fā)光峰；微波水熱法，采用固相反應(yīng)-微波水熱耦合技術(shù)可快速制備單分散納米立方硫化鋅微球，具有高催化活性優(yōu)點；固相法，在室溫下可合成單一立方相納米硫化鋅，具有吸收峰藍移、紅外透明性特點；此外還有化學(xué)氣相沉積法、化學(xué)蒸汽輸運法等。
閃鋅礦結(jié)構(gòu)化合物種類多，III族元素與V族元素組成的III-V族化合物多數(shù)具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，包括砷化鎵（GaAs）、銻化鎵（GaSb）、銻化銦（InSb）、磷化鎵（GaP）等，此外，立方氮化硼（CBN）、立方碳化硅（β-SiC），以及氯化亞銅（CuCl）、溴化亞銅（CuBr）、碘化亞銅（CuI）等鹵化亞銅，均是閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
新思界
行業(yè)分析人士表示，III-V族化合物是重要的半導(dǎo)體材料，而立方硫化鋅是II-VI族半導(dǎo)體材料，二者同樣具備閃鋅礦結(jié)構(gòu)，但立方硫化鋅禁帶寬度更大。與六方硫化鋅相比，立方硫化鋅的禁帶寬度略低，為3.66 eV，但仍明顯高于常見的砷化鎵、碳化硅等半導(dǎo)體材料。并且不含有六方雜相的單一立方相硫化鋅，具有優(yōu)良的紅外透過率。總的來看，立方硫化鋅在半導(dǎo)體、紅外光學(xué)領(lǐng)域發(fā)展?jié)摿Υ蟆?/div>
