3D NAND，又稱三維NAND，指通過垂直堆疊存儲單元來增加存儲密度的的閃存類型。與傳統(tǒng)2D NAND相比，3D NAND具有耐用性好、讀寫速度快、功耗低、存儲容量大等優(yōu)勢，適用范圍極廣。
3D NAND在物聯(lián)網、消費電子、數據中心、醫(yī)療設備、汽車制造、航空航天、國防軍工等眾多領域擁有廣闊應用前景。在消費電子領域，3D NAND可應用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦的存儲單元；在數據中心領域，其可用于構建企業(yè)級數據中心存儲系統(tǒng)，具備高可靠性以及高效能等優(yōu)勢；在國防軍工領域，其可在極端惡劣環(huán)境中實現數據存儲，可用于軍用無人機以及軍用衛(wèi)星通信系統(tǒng)。
2D NAND，又稱平面NAND，為傳統(tǒng)NAND FLASH閃存技術，其單位面積存儲容量難以繼續(xù)提高，目前行業(yè)發(fā)展受限。伴隨應用需求增長，3D NAND逐漸代替2D NAND，成為閃存主流技術。根據新思界產業(yè)研究中心發(fā)布的《
2024年全球及中國3D NAND（三維NAND）產業(yè)深度研究報告》顯示，2023年全球3D NAND市場規(guī)模超過500億美元，同比增長近20%。未來隨著技術進步，3D NAND行業(yè)發(fā)展速度將進一步加快，預計到2028年將占據閃存市場近99%的份額。
全球3D NAND市場主要參與者包括韓國三星集團（Samsung）、韓國海力士株式會社（SK hynix）、日本東芝株式會社（TOSHIBA）、美國西部數據公司（Western Digital）、美國英特爾公司（Intel）、美國美光科技股份有限公司（Micron Technology）等。三星集團為全球較早推出3D NAND產品的企業(yè)之一，目前公司正在積極推進高疊層數3D NAND閃存芯片的研發(fā)工作，已具備236層3D NAND閃存芯片量產能力。
在本土方面，與海外發(fā)達國家相比，我國3D NAND行業(yè)起步較晚，于2016年才實現相關產品批量化生產。長江存儲、東芯股份等為我國3D NAND市場主要參與者。長江存儲專注于3D NAND閃存技術的設計及研發(fā)，目前已具備32層3D NAND芯片、128層QLC 3D NAND閃存芯片以及232層3D NAND閃存芯片量產能力。長江存儲基于Xtacking 3.0技術推出的3D NAND閃存芯片X3-9070，在產品性能及技術水平上已達到全球領先。
新思界
行業(yè)分析人士表示，3D NAND作為一種高性能閃存技術，在眾多領域擁有廣闊應用前景。未來伴隨技術進步以及應用需求日益旺盛，3D NAND市場規(guī)模將持續(xù)增長。在市場競爭方面，與海外發(fā)達國家相比，我國3D NAND行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢頭迅猛，本土企業(yè)已具備高性能產品生產實力。
