4D NAND指在3D NAND架構增加一層額外優化層或維度，以提升儲存效率及密度的新型閃存技術。與3D NAND相比，4D NAND具有集成化程度高、存儲容量大、運行成本低等優勢，可用于高端存儲設備中，工業自動化、國防軍工、服務器、數據中心等領域為其終端市場。
NAND FLASH又稱與非型閃存技術，主要應用于智能終端、移動設備中。2D NAND屬于傳統NAND FLASH技術，于上世紀八十年代實現大規模應用，日本東芝株式會社為全球最早擁有2D NAND產品批量生產能力的企業。3D NAND為2D NAND替代產品，可實現大容量存儲，在眾多領域應用廣泛，目前已成為閃存市場主流。4D NAND屬于新一代閃存技術，目前尚未實現規模化應用，未來伴隨技術進步以及市場需求增長，其行業發展速度將進一步加快。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024年全球及中國4D NAND產業深度研究報告》顯示，4D NAND可滿足存儲芯片小型化、低功耗、低成本需求，在眾多領域擁有廣闊應用前景。在工業自動化領域，4D NAND可用于工業級存儲產品中，包括智能高速輕量化存取機器人系統裝備、工業級SSD固態硬盤、工業級CF/SD卡等；在數據中心領域，其可用于存儲、處理和傳輸大量數據。近年來，受益于國家政策支持，我國數據中心建設進程不斷加快，這將為4D NAND行業發展提供有利條件。
目前，4D NAND行業尚處于起步階段，市場參與者較少。韓國海力士株式會社（SK hynix）、韓國三星集團（Samsung）、美國西部數據公司（Western Digital）以及日本東芝株式會社（TOSHIBA）為全球4D NAND代表企業。海力士于2018年推出全球首款4D NAND閃存產品——96層512Gb閃存芯片，目前公司正在積極推進321層1Tb TLC 4D NAND閃存技術的研發工作。
我國閃存技術研究起步較晚，目前尚無企業具備4D NAND閃存產品自主研發及生產實力。2023年10月，國家工信部等六部門聯合發布《算力基礎設施高質量發展行動計劃》，文件明確提到要實現存儲閃存化升級，加速存力技術研發及應用。在此背景下，我國4D NAND行業發展態勢將持續向好。
新思界
行業分析人士表示，4D NAND作為新一代閃存技術，適用于多種場景。目前，4D NAND行業尚處于起步階段，3D NAND仍占據閃存市場主導地位。預計未來一段時間，伴隨本土企業持續發力以及國家政策支持，我國4D NAND市場國產化進程將進一步加快。
