半絕緣型碳化硅襯底可用于制造氮化鎵射頻器件 國(guó)家政策推動(dòng)行業(yè)發(fā)展速度加快

        按照導(dǎo)電性能不同，碳化硅襯底可分為導(dǎo)電型碳化硅襯底以及半絕緣型碳化硅襯底兩種類型。半絕緣型碳化硅襯底，指具備高電阻率的碳化硅襯底，在室溫下可表現(xiàn)出接近絕緣體的性質(zhì)。目前，半絕緣型碳化硅襯底已在航空航天、國(guó)防軍工、通信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)傳輸以及電子器件等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。

        2023年12月，國(guó)家工信部發(fā)布《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2024年版）》，文件明確將半絕緣碳化硅襯底、N型碳化硅襯底等碳化硅單晶襯底納入先進(jìn)半導(dǎo)體材料和新型顯示材料目錄。未來(lái)伴隨國(guó)家政策支持，我國(guó)半絕緣型碳化硅襯底行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快。

        半絕緣型碳化硅襯底可用于制造氮化鎵射頻器件，產(chǎn)品在衛(wèi)星通信、無(wú)線通信以及5G基站等通信系統(tǒng)領(lǐng)域具備巨大應(yīng)用潛力。近年來(lái)，隨著5G商用化進(jìn)程不斷加快，我國(guó)5G基站數(shù)量持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)國(guó)家工信部統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024年1-10月，我國(guó)5G基站總數(shù)達(dá)414.1萬(wàn)個(gè)，每萬(wàn)人擁有5G基站數(shù)達(dá)29個(gè)。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2030年中國(guó)半絕緣型碳化硅襯底行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示，未來(lái)伴隨下游行業(yè)景氣度提升，我國(guó)半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)展。

        全球半絕緣型碳化硅襯底主要生產(chǎn)商包括美國(guó)科銳公司（Cree）、美國(guó)貳陸公司（II-VI Incorporated）兩家，其中貳陸公司市場(chǎng)占比達(dá)到近40%。貳陸公司具備4至6英寸半絕緣型碳化硅襯底批量生產(chǎn)實(shí)力，產(chǎn)品已在航空航天、國(guó)防軍工以及半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。

        在本土方面，我國(guó)半絕緣型碳化硅襯底行業(yè)集中度較高，市場(chǎng)主要參與者包括天岳先進(jìn)、爍科晶體兩家。天岳先進(jìn)已成為我國(guó)乃至全球半絕緣型碳化硅襯底代表企業(yè)，已自主研發(fā)出2-8英寸半絕緣型碳化硅襯底制備技術(shù)，產(chǎn)品質(zhì)量及技術(shù)水平位居行業(yè)領(lǐng)先。爍科晶體專注于半導(dǎo)體材料以及電子元器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，于2024年12月成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅襯底。

        新思界行業(yè)分析人士表示，受益于國(guó)家政策支持以及技術(shù)進(jìn)步，我國(guó)半絕緣型碳化硅襯底行業(yè)景氣度不斷提升。未來(lái)伴隨我國(guó)通信系統(tǒng)行業(yè)發(fā)展速度加快，半絕緣型碳化硅襯底應(yīng)用需求將得到進(jìn)一步增長(zhǎng)。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，天岳先進(jìn)和爍科晶體為我國(guó)半絕緣型碳化硅襯底代表企業(yè)，占據(jù)市場(chǎng)較大份額。

投票