按照導電性能不同，碳化硅襯底可分為導電型碳化硅襯底以及半絕緣型碳化硅襯底兩種類型。半絕緣型碳化硅襯底，指具備高電阻率的碳化硅襯底，在室溫下可表現出接近絕緣體的性質。目前，半絕緣型碳化硅襯底已在航空航天、國防軍工、通信系統、數據傳輸以及電子器件等領域獲得應用。
2023年12月，國家工信部發布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》，文件明確將半絕緣碳化硅襯底、N型碳化硅襯底等碳化硅單晶襯底納入先進半導體材料和新型顯示材料目錄。未來伴隨國家政策支持，我國半絕緣型碳化硅襯底行業發展速度將進一步加快。
半絕緣型碳化硅襯底可用于制造氮化鎵射頻器件，產品在衛星通信、無線通信以及5G基站等通信系統領域具備巨大應用潛力。近年來，隨著5G商用化進程不斷加快，我國5G基站數量持續增長。據國家工信部統計數據顯示，2024年1-10月，我國5G基站總數達414.1萬個，每萬人擁有5G基站數達29個。根據新思界產業研究中心發布的《
2025-2030年中國半絕緣型碳化硅襯底行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，未來伴隨下游行業景氣度提升，我國半絕緣型碳化硅襯底市場空間將進一步擴展。
全球半絕緣型碳化硅襯底主要生產商包括美國科銳公司（Cree）、美國貳陸公司（II-VI Incorporated）兩家，其中貳陸公司市場占比達到近40%。貳陸公司具備4至6英寸半絕緣型碳化硅襯底批量生產實力，產品已在航空航天、國防軍工以及半導體設備等領域獲得應用。
在本土方面，我國半絕緣型碳化硅襯底行業集中度較高，市場主要參與者包括天岳先進、爍科晶體兩家。天岳先進已成為我國乃至全球半絕緣型碳化硅襯底代表企業，已自主研發出2-8英寸半絕緣型碳化硅襯底制備技術，產品質量及技術水平位居行業領先。爍科晶體專注于半導體材料以及電子元器件的研發、生產及銷售，于2024年12月成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅襯底。
新思界
行業分析人士表示，受益于國家政策支持以及技術進步，我國半絕緣型碳化硅襯底行業景氣度不斷提升。未來伴隨我國通信系統行業發展速度加快，半絕緣型碳化硅襯底應用需求將得到進一步增長。在市場競爭方面，天岳先進和爍科晶體為我國半絕緣型碳化硅襯底代表企業，占據市場較大份額。
