立方碳化硅，又稱β-SiC，指由硅和碳組成的含立方晶系結構的化合物半導體材料。立方碳化硅具備熱導率高、導電性好、耐腐蝕、帶隙寬、密度低等優勢，在研磨材料、電子電氣、金屬冶煉、涂層材料等眾多領域擁有廣闊應用前景。
立方碳化硅制備方法包括固相合成法、氣相合成法兩種。固相合成法可細分為硅與碳直接反應法、碳熱還原法；氣相合成法可細分為激光誘導氣相法、等離子體法、化學氣相沉積法（CVD）等。目前，立方碳化硅行業尚處于起步階段，其制備方法普遍存在成品質量差、生產流程復雜等缺陷。未來伴隨技術進步，立方碳化硅產量及質量有望進一步提升。
近年來，我國企業及相關科研機構不斷加大對于立方碳化硅的研究，已獲得多項相關專利，主要包括《一種立方碳化硅涂層的制備方法》、《一種立方碳化硅薄膜的制備方法》、《一種快速生長大尺寸高質量立方碳化硅單晶的裝置及方法》、《碳化硅晶體生長用助熔劑、立方碳化硅晶體及其生長方法》、《一種立方碳化硅超精油石的制備方法》等。未來隨著研究深入，我國立方碳化硅行業發展速度將進一步加快。
根據新思界產業研究中心發布的《
2025-2030年中國立方碳化硅（β-SiC）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，立方碳化硅在眾多領域擁有廣闊應用前景，主要包括研磨材料、電子電氣、金屬冶煉、涂層材料等。在研磨材料領域，立方碳化硅作為研磨拋光材料，具備研磨效率高、硬度高等優勢，可用于玻璃、金屬以及陶瓷等材料的研磨拋光環節；在電子電氣領域，其具備熱學性能和電學性能，可用于制造功率半導體器件；在涂層材料領域，其可涂覆于模具、刀具以及鉆頭表面。
西安博爾新材料有限責任公司、北京晶格領域半導體有限公司等為我國立方碳化硅市場主要參與者。博爾新材為我國乃至全球首家具備立方碳化硅微粉工業化生產能力的企業，產品質量位居行業領先。
新思界
行業分析人士表示，立方碳化硅作為一種新型化合物半導體材料，在眾多領域擁有廣闊應用前景。未來伴隨技術進步以及市場需求逐漸釋放，我國立方碳化硅行業發展速度有望加快。目前，我國企業已具備立方碳化硅批量生產實力，技術水平及產品質量在全球市場占據競爭優勢。
