刻蝕機(jī)為半導(dǎo)體制造核心裝備 中國(guó)國(guó)產(chǎn)不斷突破壟斷

　　刻蝕機(jī)是用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備之一，其主要通過(guò)物理或化學(xué)的方法，有選擇性地去除材料，以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案化。現(xiàn)代刻蝕機(jī)主要采用等離子體技術(shù)，利用射頻電源激發(fā)反應(yīng)氣體產(chǎn)生離子，通過(guò)電場(chǎng)加速轟擊硅片表面，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度的材料去除。這種干法刻蝕工藝相比傳統(tǒng)濕法刻蝕，具有更高的選擇比和更低的線寬損失，能夠滿(mǎn)足5nm及以下先進(jìn)制程的工藝需求。

　　刻蝕機(jī)的應(yīng)用貫穿半導(dǎo)體制造全流程，尤其在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片（如DRAM、3D NAND）及先進(jìn)封裝中發(fā)揮關(guān)鍵作用。以3D NAND為例，當(dāng)堆疊層數(shù)超過(guò)200層時(shí)，刻蝕機(jī)的深寬比刻蝕技術(shù)直接決定存儲(chǔ)密度與良率。此外，在化合物半導(dǎo)體（如GaN、SiC）、光學(xué)器件及MEMS傳感器等領(lǐng)域，刻蝕機(jī)也具有廣泛適用性。近年來(lái)，5G通信、人工智能及高性能計(jì)算對(duì)先進(jìn)芯片的需求驅(qū)動(dòng)全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)不斷擴(kuò)大，帶動(dòng)其市場(chǎng)規(guī)模從2019年的115億美元增長(zhǎng)至2024年的153億美元。

　　當(dāng)前，全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）、泛林半導(dǎo)體（Lam Research）和日本東京電子（TEL）三家企業(yè)占據(jù)近90%的市場(chǎng)份額。其中，應(yīng)用材料在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著，泛林半導(dǎo)體主導(dǎo)硅刻蝕市場(chǎng)，東京電子則在存儲(chǔ)芯片刻蝕設(shè)備中占據(jù)領(lǐng)先地位。

　　在中國(guó)市場(chǎng)，隨著中國(guó)大陸晶圓廠的逆勢(shì)增長(zhǎng)和國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)的加強(qiáng)，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備企業(yè)正逐漸崛起。中國(guó)刻蝕機(jī)產(chǎn)業(yè)內(nèi)企業(yè)通過(guò)“引進(jìn)消化-自主創(chuàng)新-協(xié)同攻關(guān)”模式突破技術(shù)壁壘，已形成完整技術(shù)體系。例如，中微半導(dǎo)體自主研發(fā)的5nm刻蝕機(jī)已進(jìn)入臺(tái)積電供應(yīng)鏈，北方華創(chuàng)14nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2029年刻蝕機(jī)行業(yè)深度市場(chǎng)調(diào)研及投資策略建議報(bào)告》顯示，2023年中國(guó)國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)市場(chǎng)份額提升至15%，但高端設(shè)備仍依賴(lài)進(jìn)口。

　　新思界行業(yè)分析人士表示，未來(lái)，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、汽車(chē)電子以及AI等新興技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，半導(dǎo)體需求將持續(xù)增長(zhǎng)，推動(dòng)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大。刻蝕機(jī)作為半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備之一，其市場(chǎng)將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展前景。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，刻蝕技術(shù)也將面臨更高的技術(shù)要求，包括刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比等方面的挑戰(zhàn)，這也將推動(dòng)刻蝕機(jī)的持續(xù)更新與升級(jí)，為行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。

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