二碘硅烷，簡稱DIS，分子式H2I2Si，是一種先進硅基前驅體材料。二碘硅烷基材適應性好，可在晶體硅、多晶硅、非晶硅、有機硅玻璃、氟硅玻璃、有機高分子聚合物基底、金屬層、外延碎片式硅層等眾多基材上實現氣相沉積。
近年來，隨著半導體制程技術發展，半導體器件小型化、超微型化發展趨勢顯現，我國半導體產業起步雖晚，但目前已實現6nm、5nm、4nm芯片生產。二碘硅烷被認為是半導體制程從10nm線寬向6nm線寬制程跨越的關鍵硅源物質，未來將發揮越來越重要的作用。
氮化硅薄膜是指以硅氮化合物為原材料制成的薄膜。原子層沉積（ALD）是氮化硅薄膜制備方式之一，但其制備的薄膜中會含有少量碳殘留，影響薄膜性能。二碘硅烷是氮化硅薄膜等離子體增強原子層沉積（PEALD）工藝關鍵材料，作為沉積硅源，二碘硅烷在等離子增強下能夠產生更活潑的硅自由基，這不僅可保持高沉積速率和無碳要求，還同時使應腔具有溫度更低、壓力操作更可控的特點。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年中國二碘硅烷（DIS）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，近年來，我國二碘硅烷合成技術研究熱情較高，大連科利德光電子材料、洛陽中硅高科技、合肥安德科銘半導體科技、銅陵安德科銘電子材料等企業均擁有二碘硅烷合成技術相關專利布局。二碘硅烷合成路線雖多，但大多不適合于工業化生產，因此目前我國二碘硅烷生產規模還較小，產業化開發空間大，尤其是純度在5N及以上的高純二碘硅烷。
二碘硅烷具有多種合成路線，根據原料不同，二碘硅烷合成路線分為以硅烷與碘化氫為原料、以碘化氫和二苯硅烷為原料、以苯硅烷與單質碘為原料、以甲基苯基硅與碘化氫為原料、以二氯二氫硅和碘金屬化合物為原料，以苯基三氯硅烷/氫化鋁鋰和碘為原料等。
福豆新材料是我國二碘硅烷主要生產企業，憑借極強的新品研發優勢，福豆新材料成為二碘硅烷、WCI5、C2H2等產品研發量產企業，打破了國外企業在電子特氣、半導體前驅體領域的壟斷局面。新思界
行業分析人士表示，作為先進先進硅基前驅體材料，二碘硅烷產業發展政策環境較良好，隨著半導體制程技術發展、薄膜沉積要求提升，二碘硅烷應用前景可期。
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