半導(dǎo)體用濺射靶材是芯片制造關(guān)鍵材料 我國(guó)國(guó)產(chǎn)化替代空間大

        在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的今天，芯片制造已經(jīng)成為了各國(guó)科技實(shí)力角逐的核心戰(zhàn)場(chǎng)，而在芯片制造的眾多關(guān)鍵材料中，半導(dǎo)體用濺射靶材扮演著舉足輕重的角色。

        半導(dǎo)體用濺射靶材，是物理氣相沉積（PVD）工藝中不可或缺的原材料，直接影響著芯片的電氣性能、信號(hào)傳輸效率以及整體穩(wěn)定性。在芯片制造過程中，半導(dǎo)體用濺射靶材通過特殊的物理濺射工藝，可將其原子或分子沉積在芯片表面，形成一層均勻且高質(zhì)量的薄膜，這些薄膜最終構(gòu)成了芯片內(nèi)部復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)與功能層。

        根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2030年半導(dǎo)體用濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》顯示，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，芯片制造工藝正朝著更小、更快、更節(jié)能的方向發(fā)展，從早期的微米級(jí)制造工藝到如今的納米級(jí)制造工藝，每一次技術(shù)突破都對(duì)半導(dǎo)體用濺射靶材的純度、精度、均勻性等性能指標(biāo)提出了更高的要求。

        目前，全球半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度集中的格局，美國(guó)和日本的少數(shù)跨國(guó)公司憑借其先進(jìn)的技術(shù)、豐富的經(jīng)驗(yàn)和完善的產(chǎn)業(yè)鏈布局，占據(jù)了全球市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。這些國(guó)際巨頭在半導(dǎo)體用濺射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售方面擁有深厚的技術(shù)積累和強(qiáng)大的品牌影響力，長(zhǎng)期以來一直壟斷著高端半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)，使得我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在采購(gòu)半導(dǎo)體用濺射靶材時(shí)面臨著供應(yīng)受限、價(jià)格高昂、技術(shù)封鎖等諸多問題。

        然而，近年來，隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和國(guó)家對(duì)關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控的高度重視，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材企業(yè)不斷崛起。以江豐電子、有研新材等為代表的國(guó)內(nèi)企業(yè)，通過持續(xù)加大研發(fā)投入、引進(jìn)高端人才、加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作等方式，不斷提升自身的技術(shù)水平和創(chuàng)新能力，在半導(dǎo)體用濺射靶材部分領(lǐng)域取得了重大突破。例如，2024年，江豐電子攻克了半導(dǎo)體用超高純?yōu)R射靶材的晶粒晶向調(diào)控技術(shù)、焊接技術(shù)、精密機(jī)械加工技術(shù)及清洗封裝技術(shù)，全面覆蓋了先進(jìn)制程、成熟制程和特色工藝領(lǐng)域。

        新思界行業(yè)分析人士表示，盡管國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體用濺射靶材國(guó)產(chǎn)化方面取得了一定的成績(jī)，但與國(guó)際巨頭相比，仍存在著一定的差距。目前，國(guó)內(nèi)企業(yè)在高端半導(dǎo)體用濺射靶材的市場(chǎng)份額仍然較低，部分關(guān)鍵技術(shù)和核心設(shè)備仍依賴進(jìn)口，產(chǎn)業(yè)配套體系也不夠完善。不過，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材企業(yè)技術(shù)水平的不斷提升和產(chǎn)業(yè)規(guī)模的逐步擴(kuò)大，國(guó)產(chǎn)化替代的空間和潛力巨大。

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