三(異丙基環戊二烯基)鑭,別名三(異丙基環戊二烯)化鑭、La(iPrCp)3,CAS號68959-87-5,分子式C24H33La,分子量460.424,外觀為無色固體狀,對眼睛、皮膚有刺激性,沸點180-195℃,閃點13.9℃,易燃燒,存儲需密封并遠離火種、熱源。
三(異丙基環戊二烯基)鑭可用作氧化鑭薄膜前驅體材料。氧化鑭(La2O3),稀土鑭的氧化物,具有介電常數高、帶隙寬等優點,可以應用于半導體產業中,應用在晶體管柵極介電層制備領域。三(異丙基環戊二烯基)鑭熔點較低,可以利用原子層沉積(ALD)技術來生長氧化鑭薄膜。
從原料方面來看,金屬鑭(La)是三(異丙基環戊二烯基)鑭的關鍵原料之一。鑭為稀土金屬,化學性質活潑,其在地殼中的含量與其他稀土元素相比較多,礦石主要是為磷鈰鑭礦(獨居石)、氟碳鈰鑭礦,主要分布在澳大利亞、巴西等國家,我國內蒙古地區有獨居石分布。
從生產方面來看,在我國市場中,南京大學材料MO源研究開發中心官網自主產品中展示有三(異丙基環戊二烯)化鑭產品。2025年9月5日,安徽省應急管理廳危險化學品安全生產許可證發放情況一覽表中,銅陵安德科銘電子材料科技有限公司為獲得許可證的企業之一,其許可范圍中包括0.25噸/年的三(異丙基環戊二烯基)鑭產能。
新思界
行業分析人士表示,從制備技術方面來看,2023年11月,江蘇南大光電材料股份有限公司申請了一項名為“一種高純度的La(iPrCp)3及其制備方法和應用”的專利,該專利得到的La(iPrCp)3產物中的有機純度能夠達到99.99%以上,適用于制備半導體用氧化鑭薄膜。
2024年10月,安徽亞格盛電子新材料股份有限公司、全椒亞格泰電子新材料科技有限公司申請了一項名為“三(異丙基環戊二烯基)鑭的合成方法”的專利,該專利具有反應原料簡單易得、操作方便、安全系數高、收率高、適合工業化生產等特點。
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