碳化硅（SiC）涂層石墨基座是一種復合結構材料，由石墨基座（石墨材料作為基礎承載體）、碳化硅（SiC）表面涂層組成。SiC涂層石墨基座具有耐高溫、耐腐蝕、抗溶蝕、抗氧化等優異性能，特別適用于高溫、磨損性、腐蝕性等極端環境中，在半導體、光電子等領域應用廣泛。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年中國碳化硅（SiC）涂層石墨基座行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，SiC涂層石墨基座是金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）設備的核心關鍵部件及耗材，具有支撐載體、材料界面特性控制、加熱單晶襯底、抗氧化保護、降低雜質污染等作用，影響著外延材料的生長質量。
MOCVD設備具有生長速率可控、操作簡單等優勢，是氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）等化合物半導體單晶襯底外延生長的關鍵設備。我國MOCVD設備供應商有中微公司、中晟光電、廣東昭信等，近年來，隨著藍光LED產能向中國大陸轉移，MOCVD設備市場需求旺盛，SiC涂層石墨基座作為其核心部件之一，市場需求空間隨之擴大。
碳化硅（SiC）具有化學穩定性高、耐腐蝕、高熱導率、熱膨脹系數與石墨相近等特點，是石墨基座表面涂層的首選材料。SiC根據結構不同又稱為α-SiC、β-SiC兩大類，其中β-SiC耐腐蝕性更優異，在石墨基座表面涂層中應用價值更高。
SiC涂層石墨基座的涂層制備方法多樣，包括等離子噴涂法、漿料涂覆燒結法、電泳沉積法、涂刷法、化學氣相沉積法（CVD法）等。其中CVD法技術成熟，更容易實現商業化，是制備SiC涂層的理想選擇。
SiC涂層石墨基座行業進入壁壘極高，具體體現在制造技術壟斷、開發驗證環節長、進入供應鏈難度大等方面。在國際上市場上，SiC涂層石墨基座主要供應商有荷蘭Xycarb、德國Sgl Carbon（SGL）、美國MEMC、日本東洋碳素等。
2017年之前，我國SiC涂層石墨基座市場需求主要依賴進口，為避免半導體行業卡脖子風險，近年來，我國SiC涂層石墨基座國產替代趨勢顯現。我國SiC涂層石墨基座供應商有湖南德智新材料有限公司（德智新材）、深圳市志橙半導體材料有限公司、浙江六方半導體科技有限公司等。
新思界
行業分析人士表示，SiC涂層石墨基座是MOCVD設備的核心部件和重要耗材，其國產化發展，對我國半導體產業發展具有重要意義。目前我國已實現SiC涂層石墨基座技術突破，生產規模也不斷擴大，但在制造工藝水平、產品品質等方面與國際領先水平相比仍存在一定差距，未來國產SiC涂層石墨基座仍有較大提升空間。
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