內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組（內(nèi)存條）的核心邏輯器件，位于中央處理器（CPU）和DRAM內(nèi)存顆粒之間，具有提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問速度、降低數(shù)據(jù)讀寫延遲、提升系統(tǒng)整體性能等作用。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《
2024-2029年中國內(nèi)存接口芯片行業(yè)市場深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測報告》顯示，內(nèi)存接口芯片核心功能是實現(xiàn)數(shù)據(jù)信號的轉(zhuǎn)換，應(yīng)用場景包括服務(wù)器、工作站、電信系統(tǒng)、存儲系統(tǒng)、智能家居、工業(yè)自動化、汽車電子等，預(yù)計2024-2029年，全球內(nèi)存接口芯片市場將以20%以上的年均復(fù)合增長率增長。
近年來，隨著人工智能（AI）、云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的發(fā)展和深入應(yīng)用，服務(wù)器配置持續(xù)升級，其所搭載的內(nèi)存模組數(shù)量也不斷增加，內(nèi)存接口芯片市場需求隨之釋放。此外隨著數(shù)據(jù)傳輸速度由800MT/s向3200MT/s升級，內(nèi)存也逐漸從DDR2、DDR3向DDR4、DDR5演進(jìn)，2023年底DDR5在全部服務(wù)器市場中的占比約20%。DDR5滲透率提升，進(jìn)一步帶動了內(nèi)存接口芯片市場需求增長。
內(nèi)存接口芯片行業(yè)技術(shù)壁壘極高，需要克服架構(gòu)設(shè)計、運(yùn)行速度、穩(wěn)定性等多方面的技術(shù)門檻，因此目前實現(xiàn)內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)的企業(yè)較少，尤其是DDR5內(nèi)存接口芯片。全球內(nèi)存接口芯片供應(yīng)商主要有日本瑞薩電子、美國Rambus、瀾起科技三家企業(yè)。
瀾起科技是國內(nèi)內(nèi)存接口芯片市場絕對龍頭，在DDR4內(nèi)存接口芯片、DDR5內(nèi)存接口芯片方面處于領(lǐng)先優(yōu)勢，此外瀾起科技還是DDR5內(nèi)存接口芯片（RCD、MDB）國際標(biāo)準(zhǔn)的牽頭制定者。根據(jù)公司季報數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，瀾起科技營收7.37億元，同比增加75.74%，實現(xiàn)凈利潤2.23億，同比增長1032.86%。
內(nèi)存接口芯片常見類型包括CKD（時鐘驅(qū)動器）、CXL、SPD、RCD（寄存緩沖器）、Retimer等。其中CXL是面向下一代數(shù)據(jù)中心的新型標(biāo)準(zhǔn)化高速接口，目前技術(shù)尚不成熟，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段，但CXL已受到瀾起科技、美國Rambus等企業(yè)的重視，預(yù)計未來2-3年將實現(xiàn)量產(chǎn)。
新思界
行業(yè)分析人士表示，近年來，我國內(nèi)存接口芯片市場保持著高于全球平均水平的增速增長，本土企業(yè)競爭優(yōu)勢持續(xù)增強(qiáng)，尤其是瀾起科技，憑借技術(shù)及先發(fā)優(yōu)勢，瀾起科技已成為全球主要供應(yīng)商之一。隨著服務(wù)器內(nèi)存模組數(shù)量增長、DDR5滲透率提升，內(nèi)存接口芯片市場將得到進(jìn)一步發(fā)展。
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