鎳鉑靶材生產(chǎn)工藝要求高 在電子領(lǐng)域發(fā)展空間大

　　鎳鉑合金，以金屬鎳（Ni）、金屬鉑（Pt）為主要合金元素，成分中還會(huì)含有鎂、鋁、碳等雜質(zhì)元素，具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕等特點(diǎn)。鎳鉑靶材，是以高純鎳鉑合金為材料制造而成的用于濺射鍍膜領(lǐng)域的濺射源。通過調(diào)整鎳鉑靶材中的鎳、鉑含量比例，可以獲得低電阻率、高抗氧化性的靶材。

 

　　鎳鉑靶材純度在99.99%（4N）及以上，通常采用真空熔煉法進(jìn)行制備，包括真空感應(yīng)熔煉法、真空電子熔煉法兩種。鎳鉑靶材制備工藝流程是，以高純鎳、高純鉑為原料，通過真空熔煉工藝制備得到合金鑄錠，再經(jīng)塑性加工、熱處理、機(jī)械加工等工序獲得靶材。純度、致密度、組織均勻性、晶粒尺寸、晶粒取向等均會(huì)影響鎳鉑靶材性能，進(jìn)而影響鍍膜質(zhì)量。因此鎳鉑靶材制備對(duì)生產(chǎn)企業(yè)的技術(shù)工藝控制要求高。

 

　　根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2030年中國鎳鉑靶材行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示，鎳鉑靶材可以應(yīng)用在電子、光學(xué)等領(lǐng)域。在電子領(lǐng)域，鎳鉑靶材主要用于半導(dǎo)體、集成電路制造中，例如用來制造二極管、超大規(guī)模集成電路、高頻射頻芯片、電源管理芯片、MEMS器件等。在超大規(guī)模集成電路中，鎳鉑靶材的純度、尺寸存在一定要求，通常采用99.995%純度、12英寸直徑的鎳鉑靶材，用于集成電路柵極、源極/漏極區(qū)接觸層制備方面。

 

　　在我國，代表性鎳鉑靶材研制廠商主要是貴研鉑業(yè)股份有限公司、有研億金新材料有限公司等。2018年，由貴研鉑業(yè)承擔(dān)的云南省國際合作計(jì)劃專項(xiàng)“半導(dǎo)體器件用鎳鉑靶材的制備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”取得重大突破，建成了年產(chǎn)1000片鎳鉑靶材料的示范生產(chǎn)線。有研億金新材料有限公司開發(fā)出65-28nm特征尺寸大規(guī)模集成電路用12英寸高純鎳鉑靶材，產(chǎn)品純度4N5，氧含量≤100ppm，晶粒尺寸≤100μm，焊合率≥97%。

 

　　我國其他鎳鉑靶材相關(guān)布局企業(yè)還有：2024年12月，寧波江豐電子材料股份有限公司公開了一項(xiàng)名為“一種再生鎳鉑合金靶材及其制備方法”的專利；2025年5月，先導(dǎo)薄膜材料（江蘇）有限公司公開了一項(xiàng)名為“一種鎳鉑合金靶材及其制備方法”的專利等。

 

　　新思界行業(yè)分析人士表示，2014年，我國（YS/T 937-2013）《鎳鉑靶材》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施，之后不斷完善，2021年啟動(dòng)制定雜質(zhì)元素檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，2024年新增碳含量測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)。目前，我國鎳鉑靶材分析標(biāo)準(zhǔn)包含鉑含量測(cè)定、雜質(zhì)元素檢測(cè)、碳含量測(cè)定三個(gè)部分。

 

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