氮化鎵激光芯片，指采用氮化鎵（GaN）制成的半導(dǎo)體光電器件。氮化鎵激光芯片具備工作波長范圍寬、功率密度高、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì)，在醫(yī)療衛(wèi)生、通信系統(tǒng)、國防軍工、汽車制造、工業(yè)制造以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
氮化鎵激光芯片通常以氮化鎵單晶為基材制成，氮化鎵單晶具備熱導(dǎo)率高、電子遷移率高、寬禁帶、機(jī)械性能好等特點(diǎn)，作為第三代半導(dǎo)體材料，在眾多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。氫化物氣相外延法（HVPE）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）等為氮化鎵單晶主要制備方法。未來隨著技術(shù)進(jìn)步，高品質(zhì)氮化鎵單晶市場占比不斷提升，這將為氮化鎵激光芯片行業(yè)發(fā)展提供有利條件。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《
2025-2029年氮化鎵激光芯片行業(yè)深度市場調(diào)研及投資策略建議報(bào)告》顯示，氮化鎵激光芯片在眾多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，主要包括醫(yī)療衛(wèi)生、通信系統(tǒng)、國防軍工、汽車制造、工業(yè)制造以及消費(fèi)電子等。在醫(yī)療衛(wèi)生領(lǐng)域，氮化鎵激光芯片可用于激光治療過程中；在通信系統(tǒng)領(lǐng)域，其可用于制造高速光信號(hào)發(fā)射器；在國防軍工領(lǐng)域，其可用于激光武器制造以及保密通信等場景；在汽車制造領(lǐng)域，其可用于汽車充電以及自動(dòng)駕駛系統(tǒng)中。
全球氮化鎵激光芯片主要生產(chǎn)企業(yè)包括德國英飛凌科技公司（Infineon）、美國科銳公司（Cree）、日本索尼株式會(huì)社（Sony）、日本夏普公司（Sharp）以及日本日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社（NICHIA）。與海外發(fā)達(dá)國家相比，我國氮化鎵激光芯片行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢(shì)頭迅猛，已有多家企業(yè)具備其自主研發(fā)及規(guī)模化生產(chǎn)實(shí)力。
颶芯科技、格恩半導(dǎo)體、鑫威源等為我國氮化鎵激光芯片市場主要參與者。颶芯科技為我國較早實(shí)現(xiàn)氮化鎵激光芯片規(guī)模化生產(chǎn)的企業(yè)，目前已擁有多項(xiàng)相關(guān)專利。格恩半導(dǎo)體專注于氮化鎵基光電器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，已擁有氮化鎵激光芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈。鑫威源已掌握450nm藍(lán)光氮化鎵激光芯片自主研發(fā)實(shí)力，產(chǎn)品光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)45%。
新思界
行業(yè)分析人士表示，氮化鎵激光芯片性能優(yōu)異，在眾多高新技術(shù)領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。未來伴隨市場需求逐漸釋放，我國氮化鎵激光芯片行業(yè)發(fā)展速度有望加快。在市場競爭方面，我國已有多家企業(yè)具備氮化鎵激光芯片自主研發(fā)及生產(chǎn)實(shí)力，未來其行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)將持續(xù)向好。
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氮化鎵激光芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛 本土企業(yè)自主
