四(甲乙胺基)鉿，別名四(甲乙胺)鉿、四(甲乙基氨基)鉿、四(乙基甲基氨基)鉿、四雙(乙基甲基氨)鉿，英文簡稱TEMAH或TEMAHf，分子式C12H32N4Hf，分子量410.899，外觀為無色至黃色液體狀，有毒性，有刺激性，相對密度1.324g/cm3，熔點-50℃，沸點79℃，閃點11℃，遇水劇烈反應，高度易燃，暴露在空氣中可自燃，存儲需密封并遠離火種、熱源、氧化劑。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025年中國四（甲乙胺基）鉿（TEMAH）市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，四(甲乙胺基)鉿主要用作前驅體材料，利用化學氣相沉積法（CVD）、原子層沉積法（ALD）等工藝在襯底上沉積得到二氧化鉿薄膜、氮化鉿薄膜。二氧化鉿薄膜具有高介電常數特征，可以應用在半導體、新材料等領域，用來制備晶體管柵極介電層，在二維材料表面沉積用作保護層；氮化鉿薄膜，具有可見光紅外寬波段透明特征，可用作紅外增透保護膜材料。四(甲乙胺基)鉿可以在硅、氧化銦錫、二硫化鉬、玻璃等基底材料上沉積生長薄膜，能夠實現原子級膜層厚度，是生長二氧化鉿或氮化鉿薄膜的關鍵材料。
我國開發的四(甲乙胺基)鉿制備方法有：南京大學專利“四甲乙氨基鉿的合成方法”，以甲乙胺、丁基鋰、四氯化鉿為原料，在惰性氣氛、溶劑存在條件下進行反應制備；銅陵正帆電子材料有限公司專利“一種四(乙基甲基氨基)鉿的制備方法”，在溶劑存在下，以堿金屬化合物、甲乙胺、四氯化鉿為原料進行反應制備等。四(甲乙胺基)鉿純度要求通常在99.99%及以上。
在全球數據產生量迅猛增長情況下，數據計算與存儲等方面對芯片性能要求不斷提高，大規模集成電路技術持續發展，其功能集成度不斷提升、尺寸不斷縮小，晶體管柵極介電層減薄，與硅基底之間的界面勢壘易出現電子隧穿問題。因此開發利用高介電常數晶體管柵極介電層材料極為重要，采用二氧化哈來替代傳統的二氧化硅，能夠明顯提升晶體管性能。在此背景下，前驅體材料四(甲乙胺基)鉿被研發問世。
新思界
行業分析人士表示，我國半導體產業蓬勃發展，四(甲乙胺基)鉿開發生產受重視度不斷提升。現階段，我國四(甲乙胺基)鉿市場布局機構與企業主要有江蘇南大光電材料股份有限公司、合肥安德科銘半導體科技有限公司、南京大學材料MO源研究開發中心等。此外，太和氣體（荊州）有限公司計劃擴建的“高端電子化學品材料項目”中，包括新增20噸/年的四(甲乙胺基)鉿產能，產品純度99.999%。
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