二氯二氧鉬，別稱二氯二氧化鉬、二氧二氯鉬，CAS號13637-68-8，分子式Cl2MoO2，分子量198.84，外觀為黃色至橙色結晶固體狀，有毒性，對眼睛、皮膚有腐蝕性，密度3.31g/mL，熔點184℃，可溶于極性溶劑，高溫可升華，遇水可發生反應，暴露在空氣中吸收水分可分解，存儲需密封并遠離火種、熱源、氧化劑、還原劑。
二氯二氧鉬的制備工藝路線較多，主要有：三氧化鉬與炭混合，通入氯氣，在一定溫度條件下進行反應制備；在高溫條件下，三氧化鉬與氯氣反應制備；二氧化鉬與氯氣在高溫條件下進行反應制備；三氯化鉬與氧氣反應制備；五氯化鉬與氧氣反應制備；三氧化鉬與濃鹽酸反應制備；鉬酸銨與氯化銨反應制備等。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025年中國二氯二氧鉬市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，二氯二氧鉬具有良好反應活性、催化活性，可用作原料用來制備含鉬功能材料、新材料、新能源材料等；可用作有機反應催化劑，應用在烯烴氧化或選擇性加氫、羰基還原、脫硫縮醛等反應過程中；可用作鉬基薄膜前驅體材料，通過等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、原子層沉積（ALD）等工藝在襯底上沉積制備鉬的氧化物薄膜，進而應用在半導體產業中；可用作染料、涂料增光劑，以提升產品的光澤度、穩定性；可用作有機試劑。
2025年5月，泛林集團研制的ALTUS Halo設備交付給三星、SK海力士，這是全球首款鉬原子層沉積設備。在芯片上，各種元器件互聯依靠金屬鎢布線、填充溝槽，隨著芯片工藝制程不斷縮小，電阻較高的鎢應用局限日益明顯，憑借低電阻優點，鉬可以替代鎢來布線、填充溝槽。ALTUS Halo設備以二氯二氧鉬為前驅體，能夠實現無阻擋層的鉬金屬化沉積，可以提高芯片運行速度并降低功耗。
新思界
行業分析人士表示，在半導體工藝不斷升級背景下，二氯二氧鉬在半導體產業中應用需求將不斷擴大，疊加有機合成高效催化劑需求、新材料開發需求等，全球二氯二氧鉬市場發展潛力大。在我國，湖南奕嘉新材料有限公司可以生產供應純度99.9999%（5N）的二氯二氧化鉬，用作半導體前驅體，用來制備高質量氧化鉬薄膜。
我國二氯二氧鉬產能還將擴大。2025年5月，江西華特電子化學品有限公司華特電子永修半導體新材料中試基地項目環境影響報告書擬批準公示，二期項目中包括二氧二氯鉬產能；2025年8月，湖南銳林新能源科技有限公司SiBN（O）透波陶瓷纖維、二氯二氧鉬生產項目環境影響評價文件擬審批前公示，其中包括二氯二氧鉬產能15噸/年；2025年8月，太和氣體（荊州）有限公司高端電子化學品材料項目環境影響報告書受理公告，包括二氯二氧化鉬產能10噸/年，純度99.999%。
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