聚焦環是等離子體刻蝕設備的主要零部件之一，放置在晶圓外部，直接接觸晶圓，具有提供均衡等離子、確保刻蝕一致性和準確性等作用。
刻蝕是芯片制造的關鍵環節，位于鍍膜、涂膠、光刻、顯影工序之后，主要作用是去除晶圓表面不必要的薄膜材質和多余光刻膠。刻蝕工藝分為干法蝕刻（等離子體刻蝕）、濕法蝕刻兩大類，其中等離子體刻蝕為主流工藝。
等離子體刻蝕設備包括電容耦合等離子體刻蝕機（CCP）、電感耦合等離子體刻蝕機（ICP）等。ICP刻蝕機應用較廣泛，2023年全球市場銷售規模達78億美元以上，預計2024-2028年市場增速將達10.0%以上。聚焦環作為等離子體刻蝕設備主要零部件之一，市場發展空間廣闊。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年聚焦環行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，聚焦環直接接觸等離子體，對材料的選擇要求較高。目前聚焦環所用材料有導電硅、石英、碳化硅（SiC）、碳化硼等。碳化硅具有高耐離子刻蝕性、高熱導率、高耐磨損性等特點，是聚焦環理想制備材料。碳化硼為新一代聚焦環材料，目前三星電子已布局碳化硼聚焦環研發。
碳化硅聚焦環主要通過化學氣相沉積法（CVD）將碳化硅沉積成一定的形狀，再進行精密機械加工生成。碳化硅聚焦環使用壽命長，隨著刻蝕用等離子體功率、能量提升，碳化硅聚焦環應用價值正日益顯現。但由于制備難度大、開發驗證環節長，碳化硅聚焦環成本較高。
在國際市場上，聚焦環供應商有CoorsTek、COMA Technology、日本精密陶瓷株式會社、韓國東海碳素株式會社、韓國KNJ等，在國內市場上，聚焦環供應商包括深圳市志橙半導體材料股份有限公司、湖南德智新材料有限公司、凱樂士股份有限公司等。
我國聚焦環量產企業較少，尤其是碳化硅聚焦環，且國產聚焦環加工精度有限，下游企業存在替換顧慮，目前聚焦環未能全面替代進口聚焦環，市場份額仍由國外企業占據主導。
新思界
行業分析人士表示，聚焦環是等離子體蝕刻設備關鍵部件，具有提供均衡等離子的作用，其國產化發展對半導體產業發展具有重要意義。相比于硅聚焦環、石英聚焦環，碳化硅聚焦環耐離子刻蝕性更好、使用壽命更長，隨著刻蝕設備等離子體能量提升，碳化硅聚焦環應用空間將擴大。
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