半導體用FTIR分析儀是一種基于紅外吸收光譜原理的高精度分析設備，主要用于半導體材料的成分檢測、薄膜厚度測量及污染物分析。其核心優勢在于非破壞性檢測、高靈敏度（可檢測ppm級雜質）和寬光譜范圍（中紅外至遠紅外），能夠滿足半導體制造中對材料特性的嚴苛要求。
相較于傳統的光學檢測技術，半導體用FTIR分析儀在分析有機污染物、氧化層成分及摻雜濃度時具有獨特優勢。例如，可精準識別硅片表面的光刻膠殘留或晶圓鍵合界面的分子結構變化。此外，現代半導體用FTIR分析儀通過集成自動化樣品臺和AI數據分析模塊，進一步提升了檢測效率和準確性，使其成為半導體工藝監控和失效分析的關鍵工具。
半導體用FTIR分析儀的應用貫穿整個半導體產業鏈，從上游材料研發到下游芯片制造均不可或缺。例如，在晶圓制造環節，半導體用FTIR分析儀用于監測外延生長厚度（如SiGe外延層）和氧化硅膜的質量；在封裝測試階段，半導體用FTIR分析儀則用于分析封裝材料的固化程度和界面粘合性能。另外，隨著第三代半導體（SiC/GaN）的興起，半導體用FTIR分析儀在寬禁帶材料缺陷檢測中的應用需求激增，可高效率精準識別碳化硅襯底中的微管缺陷。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2030年半導體用FTIR分析儀行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，半導體用FTIR分析儀行業具有較高的技術壁壘，當前全球半導體用FTIR分析儀市場呈現“外資主導、國產追趕”的格局。2024年全球市場需求量約0.15萬臺，其中珀金埃爾默、賽默飛世爾、布魯克、安捷倫等外資品牌為主導，其產品在分辨率和穩定性方面具有明顯優勢。中國本土企業如熒颯光學、中科科儀雖已實現中低端設備國產化，但在高端領域仍面臨較高技術瓶頸。
新思界
行業分析人士表示，未來，半導體用FTIR分析儀正加速向智能化、微型化方向演進。通過集成人工智能算法和大數據分析技術，半導體用FTIR分析儀的數據處理效率與檢測精度顯著提升，如通過自動化光譜解析功能快速識別半導體材料中的微量雜質。同時，便攜式設計逐步普及，滿足晶圓廠現場快速檢測需求，減少樣品轉移帶來的污染風險。此類技術升級不僅優化了生產流程，也為復雜半導體工藝（如納米級材料分析）提供了更高效的工具支持。
