化學(xué)氣相沉積設(shè)備，又稱CVD設(shè)備，指通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在基體表面沉積高性能超薄固體材料的設(shè)備。CVD設(shè)備需具備臺(tái)階覆蓋性佳、高效節(jié)能、復(fù)雜表面適應(yīng)性強(qiáng)、成分調(diào)控靈活、工藝兼容性強(qiáng)等特點(diǎn)，在光電器件、集成電路、功率器件、新能源、精密加工等領(lǐng)域應(yīng)用較多。
CVD設(shè)備主要包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）、常壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（APCVD）、低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MOCVD）等。MOCVD設(shè)備通常利用三甲基鎵（TMGa）、三甲基銦（TMIn）等有機(jī)金屬前驅(qū)與氨氣反應(yīng)，進(jìn)而制得沉積層，在LED、化合物半導(dǎo)體制造過(guò)程中應(yīng)用較多。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《
2025年中國(guó)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（CVD設(shè)備）市場(chǎng)專(zhuān)項(xiàng)調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報(bào)告》顯示，CVD設(shè)備用途廣泛。在光電器件領(lǐng)域，CVD設(shè)備可用于光電探測(cè)器元件的制造過(guò)程中，還可用于制造OLED顯示面板、LED芯片；在集成電路領(lǐng)域，其可用于集成電路柵極氧化層、互連阻擋層制備過(guò)程中，該領(lǐng)域?yàn)槠渥畲笮枨蠖耍辉诠β势骷I(lǐng)域，其可用于制造氮化鎵、碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件；在新能源領(lǐng)域，其可用于制備太陽(yáng)能電池電極材料。
近年來(lái)，國(guó)家對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展高度重視，已出臺(tái)多項(xiàng)相關(guān)政策，主要包括《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》、《國(guó)家支持發(fā)展的重大技術(shù)裝備和產(chǎn)品目錄（2025年版）》、《貫徹實(shí)施<國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要>行動(dòng)計(jì)劃（2024一2025年）》、《關(guān)于推動(dòng)未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的實(shí)施意見(jiàn)》等。未來(lái)伴隨國(guó)家政策支持，CVD設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備，行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快。
我國(guó)CVD設(shè)備市場(chǎng)主要參與者包括沃爾德、微導(dǎo)納米、拓荊科技、盛美上海、江豐電子、北方華創(chuàng)等。拓荊科技專(zhuān)注于高端半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，其CVD設(shè)備代表產(chǎn)品包括SACVD、HDPCVD、PECVD、ALD及Flowable CVD設(shè)備等。據(jù)拓荊科技企業(yè)年報(bào)顯示，2024年公司半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備實(shí)現(xiàn)營(yíng)收39.6億元。
新思界
行業(yè)分析人士表示，CVD設(shè)備在眾多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，未來(lái)伴隨市場(chǎng)需求逐漸釋放，其行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)將持續(xù)向好。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，我國(guó)已有多家企業(yè)布局CVD設(shè)備行業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)賽道，預(yù)計(jì)未來(lái)一段時(shí)間，具備高端產(chǎn)品生產(chǎn)實(shí)力的企業(yè)將占據(jù)市場(chǎng)更大空間。
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化學(xué)氣相沉積設(shè)備（CVD設(shè)備）用途廣泛 行業(yè)
