TSV，硅通孔技術，可以穿過硅基板實現硅片內部垂直電互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互聯技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。TSV技術能夠將晶圓與晶圓之間垂直導通、芯片與芯片之間垂直導通，從而實現晶圓堆疊、芯片堆疊，其目的在于大幅提升芯片性能，是解決摩爾定律失效的重要技術之一。
21世紀初，TSV被提出。在TSV技術問世之前，芯片之間水平互聯，為提高性能，芯片數量增加，會占據基板更多空間。TSV技術可以使多個芯片垂直堆疊，在提高性能的同時，大幅降低了芯片占用的基板空間。由于TSV技術的核心技術例如深硅刻蝕、銅電鍍等技術逐步發展成熟，TSV技術商業化發展迎來利好。
為提高計算能力與存儲能力，芯片工藝制程不斷縮小，目前，5nm芯片已經量產，3nm芯片即將量產，芯片性能開發已接近物理極限，摩爾定律失效。全球互聯網用戶規模不斷擴大，人工智能、物聯網等產業快速發展，使得數據產生量急劇增多，市場對芯片的性能要求還在不斷提高。摩爾定律失效與芯片性能要求繼續提高之間相互沖突，需要采用新的技術手段來解決，因此TSV技術快速成為新一代封裝技術。
根據新思界產業研究中心發布的
《2022-2027年中國TSV（硅通孔）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，TSV技術具有高密度集成、多功能集成、縮短電傳輸路徑、減少信號延遲、增加帶寬、提高數據傳輸速率、降低功耗等優點，幾乎可以用于任何芯片封裝以及任何類型先進封裝領域，受到了多個半導體廠商的關注。在全球范圍內，TSV技術相關廠商主要有日本東芝、韓國SK海力士、瑞士意法半導體、瑞士Silex公司、美國英特爾、美國AMD、美國應用材料公司等。
TSV技術應用規模逐步擴大，2022年3月，蘋果公司推出M1 ULTRA處理器，即采用TSV技術進行集成。我國是全球最大的電子產品生產國，隨著技術進步，電子產品更新迭代速度加快，市場對高性能芯片需求日益旺盛。在此背景下，我國TSV市場擁有巨大發展空間。我國目前已經擁有TSV技術相關企業，例如大港股份控股孫公司蘇州科陽主要采用TSV技術提供晶圓級封裝服務。
新思界
行業分析人士表示，雖然提高了芯片性能，但TSV設計更為復雜，且其制造過程中涉及到的工藝除深硅刻蝕、銅電鍍外，還有絕緣層沉積、化學機械拋光、晶圓減薄等，行業進入壁壘高。目前，TSV技術進行深硅刻蝕時，在硅片上一般是形成小孔徑，有利于銅電鍍進行填充，而大孔徑成本高且難以保證良率。由此來看，未來TSV技術還有較大提升空間。
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