CLBO晶體即硼酸銫鋰晶體，化學(xué)式CsLiB6O10，是一種非線性光學(xué)晶體，屬于四方晶系。
CLBO晶體具有光譜范圍寬、非線性系數(shù)大、抗光損閾值高、溫度容差及接收角度大、紫外光透過率高等優(yōu)勢(shì)，常用于大功率Nd:YAG（摻釹釔鋁石榴石）激光系統(tǒng)的四倍頻（FHG）、五倍頻，在紫外激光雷達(dá)、生物醫(yī)學(xué)、光學(xué)通信、微納加工、光致發(fā)光、半導(dǎo)體光刻等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用空間。
CLBO晶體是深紫外激光變頻鏈中的核心材料，其能夠?qū)⑤斎氲募t外或可見光等常見波長(zhǎng)激光變頻輸出為波長(zhǎng)更短、能量更高的深紫外激光，全球超九成深紫外固態(tài)激光光源依賴于CLBO晶體。
CLBO晶體也是光刻機(jī)等尖端裝備中產(chǎn)生極紫外光（EUV）的關(guān)鍵材料之一。EUV光刻技術(shù)是延續(xù)摩爾定律的核心突破，能夠支持7nm及以下先進(jìn)制程芯片制造，應(yīng)用前景廣闊，預(yù)計(jì)2025年-2030年，全球EUV光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模將從120億美元增長(zhǎng)至220億美元。CLBO晶體作為產(chǎn)生極紫外光的關(guān)鍵材料，市場(chǎng)空間也將不斷擴(kuò)大。
CLBO晶體具有特殊的晶體結(jié)構(gòu)，決定了其極易潮解開裂的晶體特性，在生產(chǎn)制備、儲(chǔ)存與使用過程中，需要嚴(yán)格控制操作環(huán)境的溫度和濕度。CLBO晶體生長(zhǎng)技術(shù)難度大、周期長(zhǎng)，尤其是尺寸、高光學(xué)質(zhì)量的CLBO晶體。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2025-2029年CLBO晶體（硼酸銫鋰晶體）行業(yè)市場(chǎng)供需現(xiàn)狀及行業(yè)經(jīng)營(yíng)指標(biāo)深度調(diào)查分析報(bào)告》顯示，由于易潮解開裂特性及生長(zhǎng)難度大，CLBO晶體生產(chǎn)企業(yè)較少，且早期CLBO晶體商用生產(chǎn)技術(shù)主要由被國外壟斷。在國際市場(chǎng)上，CLBO晶體供應(yīng)商包括立陶宛EKSMA Optics公司、日本Oxide公司等。
我國CLBO晶體相關(guān)企業(yè)包括福晶科技、悅能光電等，其中福晶科技是全球非線性光學(xué)晶體龍頭。福晶科技的CLBO晶體在深紫外波段的透光率達(dá)99%以上，間接供貨ASML（目前全球唯一的EUV光刻機(jī)供應(yīng)商），CLBO晶體也已進(jìn)入中科院EUV原型機(jī)供應(yīng)鏈。根據(jù)年報(bào)信息顯示，2024年福晶科技非線性光學(xué)晶體營(yíng)業(yè)收入2.35億元，同比增長(zhǎng)14.9%。
新思界
行業(yè)分析人士表示，CLBO晶體具有優(yōu)良的深紫外非線性特性，潛在應(yīng)用空間廣闊。近年來，隨著制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)向7nm及以下演進(jìn)，CLBO晶體應(yīng)用需求不斷釋放。CLBO晶體技術(shù)壁壘高，目前全球商業(yè)化企業(yè)較少，我國已打破國際技術(shù)壟斷，具備CLBO晶體自主研發(fā)和供應(yīng)能力。
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