（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷，簡稱CCTBA，分子式（C6H10）CO2（CO）6，是一種金屬化前驅體材料，具有較高的揮發性、較低的熱分解溫度、對水氧極其敏感等特點。
前驅體材料是半導體薄膜沉積工藝及外延生長、離子注入摻雜、蝕刻、清洗等工藝的核心材料，半導體薄膜沉積工藝是半導體制造的三大核心工藝之一。近年來，隨著半導體技術向10nm工藝節點以下演進，鈷前驅體憑借優異的導電特性、更強的抗電遷移能力等特點，受到了市場關注。
鈷前驅體分為液體鈷前驅體、固體鈷前驅體兩大類，其中液體鈷前驅體具有低溫沉積、低電阻率、結晶性良好、化學穩定性良好等特點。（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷屬于液態鈷前驅體，適用于半導體芯片制造過程中化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）工藝中，可提升半導體芯片的導電性和抗電遷移能力。
半導體前驅體行業具有高壁壘、高增長等特點，市場長期由德國默克集團、法國液化空氣、SK Materials等國際企業占據主導。根據新思界產業研究中心發布的《
2025-2029中國（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷（CCTBA）行業市場現狀綜合研究及投資前景預測報告》顯示，（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷作為液體鈷前驅體，生產及純化工藝要求極嚴苛，受技術限制，目前我國（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷生產規模較小。
我國（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷技術或產能布局企業包括福建純銘新材料科技有限公司、福建福豆新材料有限公司、中巨芯科技股份有限公司、上海正帆科技股份有限公司、大連科利德光電子材料有限公司、江蘇南大光電材料股份有限公司等。
目前相關企業正積極擴大（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷產能，其中中巨芯擬在衢州市智造新城區投資新建“集成電路制造用先進電子化學材料項目”，項目實施主體為其全資子公司中巨芯（衢州）科技有限公司，建設內容包括1.5噸/年（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷。
《電子級（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷》（計劃號2024-1356T-SJ）是行業標準計劃之一。新思界
行業分析人士表示，（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷為高端半導體芯片前驅體代表材料，我國企業正積極突破其產業化關鍵技術，隨著相關工藝持續優化，（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二鈷將在半導體、微電子、磁存儲器件等領域實現更廣泛應用。
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