受益于集成電路制造工藝進步 全球電子束抗蝕劑市場持續增長

　　電子束抗蝕劑，在電子束曝光工藝中采用的高分子聚合物，其以電子束為光源，當受到電子束輻照時，會發生化學性質變化，能夠在集成電路上形成微納圖形。

 

　　集成電路制造過程中需要采用光刻技術，在光刻過程中，會采用光致抗蝕劑、電子抗蝕劑兩種抗蝕劑產品。光致抗蝕劑即光刻膠，對波長較長的光敏感，光照后其抗蝕能力發生變化；電子抗蝕劑，對波長較短的光敏感，例如電子束、X射線等，輻照后其化學性質產生變化從而形成圖形。電子束抗蝕劑屬于電子抗蝕劑，利用電子束照射實現曝光工藝。

 

　　抗蝕劑的分辨率直接影響集成電路的集成度。光刻膠利用紫外光照射抗蝕劑產生反應，無法滿足1微米以下高分辨率圖像蝕刻要求。根據新思界產業研究中心發布的《2025年中國電子束抗蝕劑市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，電子束抗蝕劑利用電子束照射抗蝕劑，使抗蝕劑發生分解或者交聯反應，可以蝕刻得到高分辨率圖形，能夠滿足大規模集成電路制造需求。

 

　　電子束抗蝕劑包括正性電子束抗蝕劑、負性電子束抗蝕劑兩種。正性電子束抗蝕劑在電子束照射下會發生分解反應成為單體，其對電子束的敏感度相對較低，但分辨率更高；負性電子束抗蝕劑在電子束照射下會發生交聯反應，其對電子束的敏感度更高，但分辨率相對較低。

 

　　電子束具有高能特點，聚合物受其輻射會同時發生分解與交聯反應，電子束抗蝕劑需要避免存在此問題。電子束抗蝕劑需要具備優良的圖形分辨率、電子束敏感度、基體粘附性等特點。基于以上，電子束抗蝕劑材料性能要求嚴格。常見的電子束抗蝕劑主要有聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯砜（PSS）、氫倍半硅氧烷聚合物（HSQ）等，其中，PMMA是正性電子束抗蝕劑，HSQ是負性電子束抗蝕劑。

 

　　2024年，全球電子束抗蝕劑市場規模約為2.1億美元；預計2024-2030年，全球電子束抗蝕劑市場將繼續以4.91%左右的年復合增長率上升；預計發展到2030年，全球電子束抗蝕劑市場規模將達到2.8億美元。受益于半導體、微電子制造工藝不斷進步，集成電路制程不斷縮小，為滿足微納圖形蝕刻需求，電子束抗蝕劑市場持續增長。

 

　　新思界行業分析人士表示，在全球范圍內，電子束抗蝕劑市場參與者主要有日本瑞翁（Zeon）、日本富士膠片（Fujifilm）、美國KemLab、美國Kayaku Advanced Materials、德國ALLRESIST GmbH、德國Microchemicals、英國EM Resist、中國江蘇漢拓光學材料有限公司等。

 

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