受益于集成電路制造工藝進(jìn)步 全球電子束抗蝕劑市場持續(xù)增長

　　電子束抗蝕劑，在電子束曝光工藝中采用的高分子聚合物，其以電子束為光源，當(dāng)受到電子束輻照時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)性質(zhì)變化，能夠在集成電路上形成微納圖形。

 

　　集成電路制造過程中需要采用光刻技術(shù)，在光刻過程中，會(huì)采用光致抗蝕劑、電子抗蝕劑兩種抗蝕劑產(chǎn)品。光致抗蝕劑即光刻膠，對(duì)波長較長的光敏感，光照后其抗蝕能力發(fā)生變化；電子抗蝕劑，對(duì)波長較短的光敏感，例如電子束、X射線等，輻照后其化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生變化從而形成圖形。電子束抗蝕劑屬于電子抗蝕劑，利用電子束照射實(shí)現(xiàn)曝光工藝。

 

　　抗蝕劑的分辨率直接影響集成電路的集成度。光刻膠利用紫外光照射抗蝕劑產(chǎn)生反應(yīng)，無法滿足1微米以下高分辨率圖像蝕刻要求。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025年中國電子束抗蝕劑市場專項(xiàng)調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報(bào)告》顯示，電子束抗蝕劑利用電子束照射抗蝕劑，使抗蝕劑發(fā)生分解或者交聯(lián)反應(yīng)，可以蝕刻得到高分辨率圖形，能夠滿足大規(guī)模集成電路制造需求。

 

　　電子束抗蝕劑包括正性電子束抗蝕劑、負(fù)性電子束抗蝕劑兩種。正性電子束抗蝕劑在電子束照射下會(huì)發(fā)生分解反應(yīng)成為單體，其對(duì)電子束的敏感度相對(duì)較低，但分辨率更高；負(fù)性電子束抗蝕劑在電子束照射下會(huì)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，其對(duì)電子束的敏感度更高，但分辨率相對(duì)較低。

 

　　電子束具有高能特點(diǎn)，聚合物受其輻射會(huì)同時(shí)發(fā)生分解與交聯(lián)反應(yīng)，電子束抗蝕劑需要避免存在此問題。電子束抗蝕劑需要具備優(yōu)良的圖形分辨率、電子束敏感度、基體粘附性等特點(diǎn)。基于以上，電子束抗蝕劑材料性能要求嚴(yán)格。常見的電子束抗蝕劑主要有聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯砜（PSS）、氫倍半硅氧烷聚合物（HSQ）等，其中，PMMA是正性電子束抗蝕劑，HSQ是負(fù)性電子束抗蝕劑。

 

　　2024年，全球電子束抗蝕劑市場規(guī)模約為2.1億美元；預(yù)計(jì)2024-2030年，全球電子束抗蝕劑市場將繼續(xù)以4.91%左右的年復(fù)合增長率上升；預(yù)計(jì)發(fā)展到2030年，全球電子束抗蝕劑市場規(guī)模將達(dá)到2.8億美元。受益于半導(dǎo)體、微電子制造工藝不斷進(jìn)步，集成電路制程不斷縮小，為滿足微納圖形蝕刻需求，電子束抗蝕劑市場持續(xù)增長。

 

　　新思界行業(yè)分析人士表示，在全球范圍內(nèi)，電子束抗蝕劑市場參與者主要有日本瑞翁（Zeon）、日本富士膠片（Fujifilm）、美國KemLab、美國Kayaku Advanced Materials、德國ALLRESIST GmbH、德國Microchemicals、英國EM Resist、中國江蘇漢拓光學(xué)材料有限公司等。

 

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