二氯二氧化鉬（MoO2Cl2），是一種重要的化學物質，外觀為黃色至橙色的晶體或粉末，在極性溶劑中溶解較好。
二氯二氧化鉬可作為催化劑或催化劑前體、添加劑、鉬前驅體等，應用在有機合成、石油煉制、染料、涂料、半導體等領域。通過等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、原子層沉積（ALD）、區域選擇性沉積（ASD）等技術，可將二氯二氧化鉬轉化為高質量鉬氧化物薄膜，鉬氧化物薄膜在電子器件、傳感器、光學器件等領域具有廣闊應用前景。
金屬鉬具有極高熔點、熱導率較高、電阻率較低、熱膨脹系數較低等特點，近年來，隨著7nm及以下先進制程產能擴展，金屬鉬逐步替代傳統硅基材料、鎢基材料等，成為下一代器件的關鍵候選材料。
目前五氯化鉬（MoCl5）是CVD（化學氣相沉積）工藝中常用鉬源，相比于五氯化鉬，二氯二氧化鉬具有填充性能更好、薄膜電阻率更低、蒸氣壓更高、不會產生氟化物雜質等優勢，正成為業界研究和應用熱點。根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2029年中國二氯二氧化鉬（MoO2Cl2）市場分析及發展前景研究報告》顯示，預計2025-2030年，全球半導體用二氯二氧化鉬市場將以30%以上的年均復合增長率增長。
我國政策支持新一代半導體材料產業發展，國家“十四五”規劃明確將第三代半導體材料列為重點攻關方向，二氯二氧化鉬是將半導體工藝從7nm推向2nm的關鍵潛力材料，將獲得政策傾斜。
近年來，在材料制備、工藝優化、系統集成等方面協同創新、聯動發展下，二氯二氧化鉬逐漸從實驗室走向產業化、商業化。在設備方面，半導體設備巨頭Lam Research已推出全球首款鉬原子層沉積設備。
在材料方面，為滿足未來芯片制造需求，各大材料供應商正積極擴大二氯二氧化鉬生產能力，我國布局企業包括荊州太和氣體（擬建二氯二氧化鉬生產線10噸/年）、湖南奕嘉新材（已實現5N級二氯二氧化鉬量產）、先導科技集團、福建福豆新材料、湖南華京粉體材料等。
新思界
行業分析人士表示，二氯二氧化鉬有望攻克3nm以下先進制程的技術瓶頸，是“后摩爾時代”關鍵材料之一，隨著無氟CVD工藝需求釋放，以及AI芯片、3D存儲、新型存算單元等快速發展，二氯二氧化鉬市場將迎來發展機遇。我國企業在二氯二氧化鉬研發、制備上已取得重大突破，同時疊加國產替代紅利，國產二氯二氧化鉬市場占比將不斷提升。
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