四(甲乙胺基)鋯，別名四(甲乙氨基)鋯、四(甲乙胺)鋯、四(乙基甲基氨基)鋯，英文簡稱TEMAZ或TEMAZr，分子式C12H32N4Zr，分子量323.633，外觀為無色至黃色透明液體狀，對眼睛、皮膚、呼吸道有刺激性，相對密度1.049g/cm3，沸點81℃，閃點10℃，遇水發(fā)生劇烈反應(yīng)，高度易燃，暴露在空氣中可自燃，需低溫密封存儲，并遠離火種、熱源、氧化劑。
隨著芯片制程工藝不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極介電層厚度不斷減薄，利用二氧化硅薄膜作為柵極介電層，其與硅襯底之間的界面勢壘易出現(xiàn)電子直接隧穿問題，采用高介電常數(shù)材料替代二氧化硅沉積得到的薄膜作為柵極介電層，可以明顯減少這一現(xiàn)象，同時還可以滿足晶體管開關(guān)速度提高、小尺寸晶體管制備等需求。在此背景下，鉿基、鋯基材料成為關(guān)鍵柵極介電層材料選擇，四(甲乙胺基)鋯作為常見產(chǎn)品之一，市場發(fā)展空間大。
在我國，已經(jīng)開發(fā)出的四(甲乙胺基)鋯制備方法有：蘇州復(fù)納電子科技有限公司的“一種四(甲乙胺基)鋯的合成方法”專利，在保護氣體存在下，向反應(yīng)器內(nèi)置入烴類溶劑、金屬鋰化合物，滴加甲乙胺反應(yīng)后，再加入四氯化鋯進行反應(yīng)制備，產(chǎn)物純度高，可以滿足電子化學(xué)品要求；江蘇南大光電材料股份有限公司“半導(dǎo)體級四（甲乙氨基）鋯的制備方法”的專利，在氮氣氣氛下，向反應(yīng)器內(nèi)置入甲乙胺、溶劑正己烷，加入正丁基鋰進行反應(yīng)，再加入四氯化鋯進行反應(yīng)制備，操作性好、產(chǎn)率較高，產(chǎn)品純度可以滿足半導(dǎo)體行業(yè)要求。
新思界
行業(yè)分析人士表示，我國市場中，四(甲乙胺基)鋯供應(yīng)機構(gòu)與企業(yè)主要有南京大學(xué)材料MO源研究開發(fā)中心、江蘇南大光電材料股份有限公司、合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司、江蘇愛姆歐光電材料有限公司、安徽博泰電子材料有限公司等。
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