SOI硅片，又稱絕緣體上硅，是一種由二氧化硅絕緣埋層、單晶硅器件層以及底部硅襯底三層結(jié)構(gòu)組成的先進半導(dǎo)體材料。SOI硅片具備工作溫度范圍寬、靜態(tài)功耗低等特點，可用于制造CMOS邏輯電路、MEMS傳感器以及壓力傳感器。
SOI硅片主要制備技術(shù)包括外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)（ELTRAN）、鍵合再減薄技術(shù)（BESOI）、注氧隔離技術(shù)（SIMOX）以及鍵合注入相結(jié)合技術(shù)（Smart-Cut）等。外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)通過在結(jié)構(gòu)中引入多孔硅，進而控制鍵合晶片分裂，能有效提升SOI硅片的良品率；注氧隔離技術(shù)包含氧離子注入以及高溫退火兩個步驟，能有效改善硅片的散熱性以及抗輻射性能。
近年來，為規(guī)范市場發(fā)展，我國有關(guān)部門已出臺多項SOI硅片相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及團體標(biāo)準(zhǔn)。2023年1月，上海市電力行業(yè)協(xié)會發(fā)布團體標(biāo)準(zhǔn)《T/SEPA4—2022局部放電EFPI光纖超聲傳感器探頭MEMS制造技術(shù)第1部分：基于SOI硅片的工藝規(guī)范》，文件針對光纖超聲傳感器探頭用SOI硅片的工藝要求、檢驗要求以及工藝流程進行了明確規(guī)范。未來隨著行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不斷完善，我國SOI硅片質(zhì)量將有所提升。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《
2025-2029年全球及中國SOI硅片（絕緣體上硅）行業(yè)研究及十五五規(guī)劃分析報告》顯示，SOI硅片在電子電氣領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景，其可用于制造CMOS邏輯電路、MEMS傳感器以及壓力傳感器等。近年來，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向我國大陸轉(zhuǎn)移，我國集成電路產(chǎn)量持續(xù)增長。據(jù)國家工信部統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2025年前三季度，我國集成電路產(chǎn)量達到3819億塊，同比增長8.6%。未來隨著市場需求逐漸釋放，我國SOI硅片行業(yè)發(fā)展空間將進一步擴展。
全球SOI硅片市場主要參與者包括日本東芝株式會社（TOSHIBA）、法國Soitec SA公司、美國IBM公司等。法國Soitec SA公司為全球最大SOI硅片供應(yīng)商，擁有多項相關(guān)專利。在本土方面，我國SOI硅片主要生產(chǎn)企業(yè)包括滬硅產(chǎn)業(yè)、超硅半導(dǎo)體、中化學(xué)天康等。超硅半導(dǎo)體專注于半導(dǎo)體硅片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，正在積極推進關(guān)于薄層SOI硅片的研發(fā)工作。
新思界
行業(yè)分析人士表示，SOI硅片作為先進半導(dǎo)體材料，市場需求旺盛。未來隨著下游行業(yè)景氣度提升，我國SOI硅片市場空間將近一步擴展。近年來，隨著技術(shù)進步，我國已有多家企業(yè)布局SOI硅片行業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)賽道，未來其市場競爭將日益激烈。
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