極紫外光刻機（EUVL）是一種采用極紫外線（EUV）光刻技術的先進制程芯片制造設備。極紫外光刻機主要用于先進半導體制造中，其能夠實現比傳統深紫外光刻更小的特征尺寸。
極紫外線（EUV）又稱極端紫外線輻射，是指電磁波譜中波長從121nm-10nm的電磁輻射。極紫外線光刻采用以波長為10-14nm的極紫外光作為光源，其具有波長極短、頻率極高、分辨率高等特點。目前可用于光刻機的極紫外光源可通過同步輻射光源、放電等離子體光源、激光等離子體光源、激光輔助放電等離子體光源（LPP）等方式獲得，其中LPP光源為主流EUV光源。
光刻即將目標電路圖樣從掩模轉移到硅片上，是半導體芯片制造過程中最復雜和關鍵的工藝步驟。近年來，為響應摩爾定律，半導體芯片密集度不斷提升，對光刻技術分辨率的要求不斷提升，極紫外光刻機作為制造高密集度半導體芯片的核心設備，市場需求不斷釋放。
根據新思界產業研究中心發布的
《中國極紫外光刻機（EUVL）產業發展及“十五五規劃”建議報告》顯示，光刻機研發及生產壁壘高，目前全球光刻機市場主要由荷蘭阿斯麥（ASML）、日本佳能、日本尼康等企業占據，在極紫外光刻機領域，荷蘭阿斯麥是全球唯一制造供應商。2024年，全球極紫外光刻市場規模約115億美元，預計2030年將增長至220億美元左右。
荷蘭阿斯麥于2010年代后期實現了極紫外光刻機商業化，目前其極紫外光刻機已在臺積電（TSMC）、韓國三星電子、美國英特爾（Intel）等半導體廠商中應用。荷蘭阿斯麥已出貨了多種不同型號的極紫外光刻機，包括Twinscan NXE:3400 B/C、NXE:3600D等，2024年極紫外光刻機約占其總銷售額的4成。
極紫外光刻機售價高，且對華出口管制，在此背景下，我國企業及單位開始獨自開發極紫外光刻機，產業鏈布局企業包括華為、朗道科技、富創精密、中國科學院長春光學精密機械與物理研究所、中國科學院上海光學精密機械研究所等。
新思界
行業分析人士表示，極紫外光刻機是高端芯片大規模量產和工業化不可缺少的設備，目前三星、臺積電、英特爾等國際龍頭半導體廠商均已引進極紫外光刻機。極紫外光刻機技術壁壘高，僅有荷蘭阿斯麥能夠制造供應，在出口管制背景下，極紫外光刻機亟需實現國產突破。目前我國企業及單位已在極紫外光刻技術領域取得了重要突破，尤其是在極紫外光源上。
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