大尺寸超高純立方碳化硅，是半導體材料，是一種直徑、純度達到一定標準的立方相碳化硅材料。
立方碳化硅（β-SiC/3C-SiC），立方晶系，晶體結構及性能與金剛石相似，具有硬度高、化學穩定性好、耐高溫、耐輻射、熱導率高、熱膨脹系數低、能帶間隙寬、電子遷移率高、電子漂移速度快、擊穿場強高、導電性好等特點，可以廣泛應用在特種材料、精密加工、電子信息、軍工國防、航空航天等領域。現階段，我國立方碳化硅研制能力已經達到國際先進水平，代表性企業主要是西安博爾新材料有限責任公司。
大尺寸超高純立方碳化硅制造的半導體器件，可以應用在電子、通信、光伏、新能源汽車、航天、軍工等高技術產業中，其導電性、耐高溫性、導熱性、抗熱震性等性能明顯優于其他材料，因此開發與應用必要性突出。
2024年8月，我國工信部關于發布國家重點研發計劃“高性能制造技術與重大裝備”等16個重點專項2024年度項目申報指南的通知中，在高端功能與智能材料-特種及前沿功能材料方面，提出面向先進半導體制程對超高純、耐腐蝕、耐高溫SiC零部件的迫切需求，研發大尺寸超高純超厚SiC材料的CVD快速穩定制備技術。
我國工信部國家重點研發計劃中對大尺寸超高純立方碳化硅的指標要求是，SiC材料晶體結構為立方相，純度≥99.9999%，密度3.20-3.21g/cm3，直徑≥450mm，厚度≥20mm，硬度2900-3300kg/mm2。
新思界
行業分析人士表示，我國大尺寸超高純立方碳化硅研發技術瓶頸正在逐步突破。2024年1月，中國科學院物理研究所團隊利用高溫液相法，實現了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶。2024年11月，北京晶格領域半導體有限公司公開一項名為“一種快速生長大尺寸高質量立方碳化硅單晶的裝置及方法”的專利。
