硅基碲鎘汞外延片，以硅材料為襯底，在其表面之上生長碲鎘汞外延層，用來制造紅外探測器。
碲鎘汞（HgCdTe，簡稱MCT），是一種重要的、應用廣泛的紅外探測材料，具有本征載流子濃度低、帶隙連續可調、響應速度快、光吸收系數高、量子效率高等特點。分子束外延（MBE），是碲鎘汞生長的重要技術之一，可以制備紅外焦平面探測器用高性能碲鎘汞外延片，近年來發展迅速。
通常在碲鋅鎘（CdZnTe，簡稱CZT）襯底或者硅（Si）襯底之上生長碲鎘汞。碲鋅鎘與碲鎘汞晶格匹配，利于生長碲鋅鎘基碲鎘汞外延片，而硅與碲鎘汞存在晶格失配問題，利用硅襯底外延生長得到的硅基碲鎘汞外延片存在位錯密度較高問題，使材料表面與內部產生缺陷，影響紅外探測器性能。
硅基碲鎘汞外延片制備，是以硅晶圓為襯底，對其表面進行預處理后，在硅晶圓表面上利用分子束外延技術生長碲鎘汞外延層。在分子束外延生長過程中，生長溫度、束流比會對碲鎘汞外延層位錯密度造成較大影響。因此硅基碲鎘汞外延片生長過程控制要求高，制備工藝難度大。
碲鎘汞紅外探測器具有波段覆蓋范圍廣（包括短波、中波、長波）、靈敏度高、圖像質量高等優點，是高端紅外探測器產品，可以應用在軍工、科研領域。紅外焦平面，也稱紅外焦平面陣列，英文簡稱IRFPA，能夠同時捕捉與處理大量紅外信號，靈敏度更高，探測性能更為優異。碲鎘汞紅外焦平面探測器技術的發展，使得更大尺寸、更高性能硅基碲鎘汞外延片需求日益旺盛。
新思界
行業分析人士表示，從大尺寸硅基碲鎘汞外延片方面來看，中國電子科技集團公司第十一研究所研制出4英寸硅基碲鎘汞外延片，采用分子束外延技術進行制備，可用于單片大面陣紅外探測器制造領域，技術達到國際先進水平，被列入《中央企業科技創新成果產品手冊（2022年版）》推薦目錄。
從高性能硅基碲鎘汞外延片方面來看，摻雜工藝是提高硅基碲鎘汞外延片組分均勻性、電學性質的重要手段之一。2023年3月，華北光電技術研究所（中國電子科技集團公司第十一研究所）科研團隊，利用分子束外延設備生長出In（銦）摻雜硅基碲鎘汞，提高了材料的均勻性以及電子遷移率，相關研究成果發表于《紅外》期刊。
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