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          三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿(CpHf)可制備高介電常數(shù)二氧化鉿薄膜 我國布局企業(yè)不斷增多

          2025-10-14 17:41      責(zé)任編輯:周圓    來源:www.heb-baidu.cn    點擊:
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          三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿(CpHf)可制備高介電常數(shù)二氧化鉿薄膜 我國布局企業(yè)不斷增多

            三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿,別名三(二甲胺)環(huán)戊二烯基鉿、環(huán)戊二烯基三(二甲胺基)鉿,英文簡稱CpHf,Cas號941596-80-1,分子式C11H18HfN3,分子量370.78,外觀為無色至淺黃色透明液體狀,相對密度1.56g/cm3,可溶于四氯化碳、烴類等有機溶劑,對空氣、水汽敏感。
           
            根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025年中國三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿(CpHf)市場專項調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報告》顯示,三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿具有穩(wěn)定性較好、蒸氣壓較高、反應(yīng)性好等特點,可以利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)、原子層沉積法(ALD)等工藝在基底之上沉積生長二氧化鉿(HfO2)薄膜。
           
            二氧化鉿薄膜具有高介電常數(shù)特征,可以替代傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO2)薄膜應(yīng)用在場效應(yīng)晶體管柵極介電層制備領(lǐng)域。在芯片制程工藝不斷縮小背景下,二氧化鉿薄膜可以避免晶體管柵極介電層減薄而導(dǎo)致的其與硅襯底之間界面勢壘出現(xiàn)的電子直接隧穿問題。三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿是新型關(guān)鍵晶體管柵極介電層材料之一,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展空間大。
           
            我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,芯片自主設(shè)計、生產(chǎn)能力不斷提升,拉動市場對三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿需求增長,因此我國三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿相關(guān)布局企業(yè)不斷增多。從制備工藝方面來看,我國企業(yè)申請的專利有:芯越芯(南京)電子科技有限公司的“三(二甲胺)環(huán)戊二烯鉿生產(chǎn)方法”,江蘇南大光電材料股份有限公司的“三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿及其制備工藝”及其控股子公司南大光電半導(dǎo)體材料有限公司的“一種三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿的新型合成方法”等。
           
            從提供商來看,我國三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿供應(yīng)機構(gòu)與企業(yè)主要有南京大學(xué)材料MO源研究開發(fā)中心、合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司等。合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司控股子公司銅陵安德科銘電子材料科技有限公司于2025年9月5日獲得安徽省應(yīng)急管理廳發(fā)放的危險化學(xué)品安全生產(chǎn)許可證,許可內(nèi)容中包括5噸/年的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿生產(chǎn)能力。
           
            新思界行業(yè)分析人士表示,我國三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿產(chǎn)能建設(shè)不斷增多。2025年5月,江西華特電子化學(xué)品有限公司華特電子永修半導(dǎo)體新材料中試基地項目環(huán)境影響報告書擬批準(zhǔn)公示,一期項目中包括三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿生產(chǎn)線;2025年8月,太和氣體(荊州)有限公司高端電子化學(xué)品材料項目環(huán)境影響報告書受理公示,建設(shè)內(nèi)容中包括30噸/年的環(huán)戊二烯基三(二甲胺基)鉿產(chǎn)能;2025年9月,浙江先導(dǎo)微電子科技有限公司集成電路關(guān)鍵材料基地產(chǎn)業(yè)化擴建項目環(huán)境影響評價公示,首批次建設(shè)內(nèi)容中包括30噸/年的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鉿產(chǎn)能。
           
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