聚碲氧烷簡稱PTeO，是一種主鏈以碲-氧（Te-O）鍵交替構成的有機碲化物，主鏈排列方式與無機主鏈的聚硅氧烷（PDMS）、聚磷腈類似。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2029年聚碲氧烷（PTeO）行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，聚碲氧烷是一類新型非碳主鏈聚合物，具有類似半導體的光催化性能、良好的紫外線屏蔽作用、可見-近紅外透光性、閉環可回收性，可用作紫外線防護材料、非均相光催化劑等，在紫外防護、光催化、可降解材料、生物醫學、EUV光刻膠等領域具有潛在應用。
界面氧化聚合法可用于大規模合成聚碲氧烷，該方法能在室溫下進行，具有反應重復性高、試劑綠色環保、原子利用率高等優勢，有望成為未來聚碲氧烷的工業合成方法。
聚碲氧烷制備過程較簡單，其熱學、力學性能可以通過烷基鏈長度、聚合度等調控。根據烷基鏈碳數不同，聚碲氧烷分為PTeO4、PTeO8、PTeO12等。聚碲氧烷可通過熱壓成型、溶劑成型等方式加工成片材或薄膜。
近年來，作為新型極紫外（EUV）光刻膠材料，聚碲氧烷受到了廣泛關注。聚碲氧烷主鏈中包含碲-氧鍵，碲-氧鍵在極紫外光照射下易實現原位斷裂，從而達成高效的正性極紫外成像。碲元素（Te）的極紫外吸收截面超高，是碳元素的40多倍，氧元素的10多倍，這賦予了聚碲氧烷基光刻膠良好的極紫外吸收率。
2025年清華大學許華平教授團隊成功研發出基于聚碲氧烷的新型光刻膠，實現了18nm線寬的新紀錄。目前聚碲氧烷基光刻膠已在北京12英寸線上小規模導入，首批wafer或將在2025年9月流片。
光刻膠是半導體制造過程中的關鍵材料，近年來，隨著集成電路工藝向7nm及以下節點推進，EUV光刻技術應用越來越廣泛，與此同時，市場對EUV光刻膠的要求也不斷提升。EUV光刻膠研發、生產壁壘高，日本JSR、信越化學、美國陶氏等國際巨頭長期壟斷這一市場。
目前EUV光刻膠多依賴化學放大機制或金屬敏化團簇來提升靈敏度，普遍存在材料均一性差、隨機缺陷多、靈敏度不足、線寬粗糙度大等難題。聚碲氧烷基光刻膠具備理想光刻膠關鍵要素，包括高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度均一、構筑單元小等特點，應用前景廣闊。
新思界
行業分析人士表示，作為新型非碳主鏈聚合物，聚碲氧烷具有多種獨特性能，潛在應用價值極高，尤其在EUV光刻膠領域。目前我國高端光刻膠自給率較低，聚碲氧烷基EUV光刻膠的突破，不僅有望解決我國在高端光刻膠領域長期面臨的“卡脖子”難題，也將為突破摩爾定律極限提供中國方案。
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