刻蝕是用化學(xué)或物理方法對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的過程，進而形成光刻定義的電路圖形。刻蝕設(shè)備是刻蝕工藝的關(guān)鍵設(shè)備，是晶圓制造三大核心裝備之一。根據(jù)工藝不同，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，干法刻蝕是目前市場主流刻蝕技術(shù)。其中干法刻蝕又可分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕三大類。干法刻蝕設(shè)備主要包括電容性等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備和電感性等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備。
近年來，隨著集成電路行業(yè)不斷發(fā)展，刻蝕設(shè)備市場規(guī)模不斷擴大，根據(jù)新思界發(fā)布的
《2022-2026年中國刻蝕設(shè)備產(chǎn)品市場分析可行性研究報告》顯示，2021年全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約為175億美元，同比增長27.7%。從細分市場來看，主要用于硅刻蝕和金屬刻蝕的電感性等離子體刻蝕設(shè)備占比刻蝕設(shè)備總體市場份額為62%；主要用于介質(zhì)刻蝕的電容性等離子體刻蝕設(shè)備占比份額為38%。
目前全球刻蝕設(shè)備市場由美國、日本企業(yè)占比主導(dǎo)地位，主要企業(yè)包括拉姆研究Lam Research、東京電子TEL、應(yīng)用材料Applied Materials、日立高新Hitach等，其中2021年Lam Research、東京電子TEL、Applied Materials三家企業(yè)占比市場份額最大，共計占比近90%市場份額，行業(yè)集中度較高。
刻蝕設(shè)備屬于技術(shù)、資金密集型行業(yè)，行業(yè)準入門檻較高，且國內(nèi)刻蝕設(shè)備行業(yè)起步時間較晚，目前本土企業(yè)在全球市場中占比份額較小。具體來看，2021年本土企業(yè)中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體在全球市場中僅占比約4%市場份額。
刻蝕設(shè)備屬于半導(dǎo)體設(shè)備重要組成部分，近年來，其行業(yè)發(fā)展受國家政策大力支持。2021年3月國家發(fā)布《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標(biāo)綱要》提出，需要集中優(yōu)勢資源攻關(guān)多領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，其中集成電路領(lǐng)域包括集成電路設(shè)計工具開發(fā)、重點裝備和高純靶材開發(fā)。未來國內(nèi)刻蝕設(shè)備行業(yè)將在政策支持下不斷發(fā)展。
新思界
產(chǎn)業(yè)分析人員表示，近年來，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢不斷發(fā)展以及國家政策大力支持半導(dǎo)體設(shè)備提高國產(chǎn)化率背景下，刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備重要組成部分，其市場規(guī)模不斷擴大，行業(yè)發(fā)展前景較好。但目前全球刻蝕設(shè)備市場仍由美、日企業(yè)占據(jù)主要份額，未來國內(nèi)企業(yè)還需不斷加大技術(shù)研發(fā)力度，加快促進國產(chǎn)化率不斷提升，行業(yè)發(fā)展前景廣闊。
