薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使其具有光學(xué)、電學(xué)等特殊性能。薄膜沉積按原理不同可分為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）三種，其中物理氣相沉積包括真空蒸鍍、磁控濺射和電弧離子鍍?nèi)N方法，化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD）、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）、熱絲化學(xué)氣相沉積（HWCVD）三種技術(shù)類型。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2023-2027年中國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)市場行情監(jiān)測及未來發(fā)展前景研究報告》顯示，薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體制作的關(guān)鍵設(shè)備之一，在半導(dǎo)體設(shè)備需求規(guī)模中占比超過25%，位列第一。隨著全球范圍內(nèi)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級加快，以及5G通信、消費電子等對高性能芯片需求不斷增長，推動薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模不斷擴(kuò)大。2022年全球薄膜設(shè)備市場規(guī)模接近230億美元，其中，PECVD市場規(guī)模超過64億美元，濺射PVD市場規(guī)模超過45億美元。
伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)技術(shù)不斷進(jìn)步、邏輯芯片制作工藝不斷升級、存儲芯片向3D化方向發(fā)展等原因，薄膜沉積的重復(fù)次數(shù)不斷增加，對薄膜沉積設(shè)備的需求成倍增長，傳統(tǒng)薄膜沉積設(shè)備的效果也逐漸無法滿足市場需要，行業(yè)仍需不斷研發(fā)新工藝、新材料來滿足不斷提升的市場需求。
薄膜沉積設(shè)備具有較高資金、人才及技術(shù)壁壘，行業(yè)呈高度壟斷局面。從細(xì)分市場來看，AMAT、Lam、TEL占據(jù)CVD大部分市場份額，AMAT基本壟斷PVD市場，TEL和ASMI在ALD市場中占比超過50%。
我國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)起步較晚，創(chuàng)新能力、生產(chǎn)技術(shù)等方面與國際先進(jìn)水平仍有較大差距，對進(jìn)口產(chǎn)品依賴性較強(qiáng)，本土企業(yè)仍有較大發(fā)展空間。目前國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備相關(guān)企業(yè)有北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司、營口金辰機(jī)械股份有限公司、拓荊科技股份有限公司、捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司等。
近年來，國家出臺多項政策鼓勵支持高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2022年1月，國務(wù)院發(fā)布《“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》提出要提升產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)競爭力，完善5G、集成電路、新能源汽車、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重點產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈體系。薄膜沉積設(shè)備作為集成電路、半導(dǎo)體、5G等產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備之一，具有良好發(fā)展環(huán)境。
新思界
行業(yè)分析人士表示，在國家政策支持以及下游市場需求的推動下，我國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)將向好發(fā)展。目前我國對進(jìn)口薄膜沉積設(shè)備依賴度較高，國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)需要加大資金投入，研發(fā)新工藝、新技術(shù)，突破核心技術(shù)壁壘，提高行業(yè)競爭力。
