碳化硅襯底激光剝離設備是一種重要的半導體設備，主要用于碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程中。
碳化硅（SiC）材料及其器件具有高耐壓、高耐溫、高電子遷移率、抗輻射能力強、禁帶能隙寬等優(yōu)勢，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網、無線通信等領域具有廣闊應用空間。但由于成本高，碳化硅材料及其器件規(guī)模化應用受到了極大限制。
切割是碳化硅最關鍵的加工工藝，由于碳化硅自身硬度大且脆性高，碳化硅切割破損率較高，切割成本占整個加工成本的50%以上。多線切割是目前碳化硅主流切割工藝，分為砂漿線切割、金剛石線切割，但多線切割存在材料損耗率高、加工周期長、加工效率低下、工藝適配性低等問題。
碳化硅襯底因其生產速度慢、良率低，成為碳化硅器件成本占比最高的材料，降低切割損耗是降低碳化硅襯底成本的關鍵路徑。激光剝離技術具有材料耗損小、切割精度高、出片率高、效率高等優(yōu)勢，解決了碳化硅襯底切割難題，尤其是大尺寸（8英寸/12英寸）碳化硅襯底。
根據(jù)新思界產業(yè)研究中心發(fā)布的《
2025-2029年碳化硅襯底激光剝離設備行業(yè)市場供需現(xiàn)狀及行業(yè)經營指標深度調查分析報告》顯示，近年來，碳化硅襯底激光剝離技術及設備受到了廣泛關注，我國相關研制企業(yè)包括西湖儀器（杭州）技術有限公司、深圳平湖實驗室、深圳市大族半導體裝備科技有限公司、中國電子科技集團第二研究所、江蘇通用半導體有限公司、寧波丞達精機股份有限公司等。
西湖儀器由西湖大學孵化，率先推出了8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備（已獲“國內首臺（套）裝備”認定）及12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案。
目前碳化硅襯底產線仍停留在6英寸，但在降本增效背景下，碳化硅襯底尺寸從6英寸升級至8英寸、12英寸是未來重要趨勢。近年來，我國在大尺寸碳化硅襯底制備技術方面取得了重大突破，天岳先進、天科合達、三安光電、同光股份、爍科晶體、百識電子、普興電子等企業(yè)已展示出8英寸/12英寸碳化硅襯底樣品，2025-2026年將成為8英寸碳化硅襯底量產爬坡關鍵階段。
新思界
行業(yè)分析人士表示，激光剝離技術在提高碳化硅襯底生產效率、降低成本方面具有顯著效果，有助于促進大尺寸（8英寸/12英寸）碳化硅襯底產業(yè)化進程。目前激光剝離技術在尚未大規(guī)模導入碳化硅襯底量產線，但隨著大尺寸碳化硅襯底量產進程推進、行業(yè)降本增效需求釋放，激光剝離技術及設備應用空間將不斷擴大。
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