高純鈷靶材，是以金屬鈷（Co）為材料，純度達到5N（99.999%）級別，可以通過濺射鍍膜工藝制備薄膜的材料。
從高純鈷靶材原材料來看，全球鈷資源稀缺，已探明儲量主要分布在剛果（金），我國鈷資源貧乏，鈷礦需求依靠進口，剛果（金）是主要進口國。近幾年全球鈷價格波動幅度大，2022年年中達到頂峰，之后整體呈現(xiàn)下降趨勢，2025年初，為應對全球鈷供應過剩價格下跌問題，剛果（金）暫停鈷礦出口，導致鈷價格上漲，但仍低于2022年頂峰水平。
鈷靶材具有優(yōu)良的硬度、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性等性能，可以應用在半導體器件、光電器件、磁性存儲材料、電子元件、傳感器、光伏電池等制造領(lǐng)域，使用時利用高能粒子轟擊靶材在基材表面沉積形成薄膜。在集成電路領(lǐng)域，高純鈷靶材發(fā)揮著重要作用，在先進工藝制程下可以提高芯片導電性能，降低芯片功耗，提升芯片頻率響應速度。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2025-2030年中國高純鈷靶材行業(yè)市場深度調(diào)研及發(fā)展前景預測報告》顯示，為保證薄膜質(zhì)量，應用在集成電路領(lǐng)域的高純鈷靶材純度要求極高、雜質(zhì)含量要求極低，且靶材內(nèi)部成分的均勻度要求高，與常規(guī)鈷靶材相比，高純鈷靶材制備難度大，工藝精度控制嚴格，特別是應用在超大規(guī)模集成電路制造領(lǐng)域的大尺寸高純鈷靶材，全球生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量極少。
我國集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力正在不斷增強，基于超大規(guī)模集成電路的邏輯芯片、存儲芯片的開發(fā)制造能力不斷增強，需要采用12英寸高純鈷靶材。我國12英寸高純鈷靶材需求主要依靠進口，在國際政治經(jīng)濟形勢多變以及我國向制造強國方向發(fā)展背景下，為避免被卡脖子，12英寸高純鈷靶材必須實現(xiàn)自主生產(chǎn)。
有研億金新材料有限公司突破了相關(guān)技術(shù)瓶頸，自主開發(fā)出集成電路用12英寸高純鈷靶材，純度5N，氧含量≤100ppm，透磁率≥70%，焊合率≥99%，可以用于邏輯芯片、存儲芯片制造中，具有批量供應能力。2023年9月，有研億金在山東德州生產(chǎn)基地建設的集成電路用高純?yōu)R射靶材項目投產(chǎn)，其中包括12英寸高純鈷靶材產(chǎn)能。
新思界
行業(yè)分析人士表示，有研新材料股份有限公司發(fā)布的一季度財報中顯示，2025年第一季度，公司營收為18.4億元，同比下降18.67%，凈利潤為6738.47萬元，同比增長14698.12%；凈利潤增長主要得益于有研億金、有研稀土兩家子公司凈利潤增加，其中，有研億金歸屬于上市公司股東凈利潤同比增長67.00%。
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