碳化硅同質外延片，又稱SiC同質外延片，指采用化學氣相沉積工藝制成的襯底與外延層材質均為碳化硅的外延片。與碳化硅異質外延片相比，碳化硅同質外延片具備晶格匹配度高、缺陷控制精準、表面質量好、工藝兼容性強等優勢，在射頻電子、功率電子以及光電子等領域擁有廣闊應用前景。
在應用需求帶動下，我國碳化硅外延片市場規模不斷增長，2024年達到近20億元。按照材料一致性以及工藝特性不同，碳化硅外延片可分為碳化硅異質外延片以及碳化硅同質外延片兩種類型。碳化硅同質外延片綜合性能優良，應用范圍較廣，為碳化硅外延片市場主流產品。未來伴隨碳化硅外延片行業發展速度加快，碳化硅同質外延片市場空間將得到進一步擴展。
化學氣相沉積法（CVD）為碳化硅同質外延片主流制備方法，該法指在高溫條件下，將硅和碳的氣相化合物在碳化硅基片上沉積，經過充分反應后制得成品，可細分為熱絲化學氣相沉積法（HWCVD）、離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）等，該法具備參數易控制、成品質量好、操作流程簡單等優勢。未來隨著技術進步，碳化硅同質外延片產量及質量將得到進一步提升。
根據新思界產業研究中心發布的《
2025年全球及中國碳化硅同質外延片（SiC同質外延片）產業深度研究報告》顯示，碳化硅同質外延片在眾多領域擁有廣闊應用前景，主要包括射頻電子、功率電子以及光電子等。在功率電子領域，碳化硅同質外延片可用于新能源汽車電機驅動系統、電源轉換系統、車載充電系統以及充電樁中，該領域為其最大需求端，占比達到近六成。受益于應用需求日益旺盛，碳化硅同質外延片行業發展態勢將持續向好。
我國碳化硅同質外延片主要生產企業包括希科半導體、中電科、天科合達等。希科半導體專注于半導體碳化硅材料的研發、生產及銷售，已具備8英寸碳化硅同質外延片規模化生產實力，技術水平位居行業領先。
新思界
行業分析人士表示，碳化硅同質外延片作為碳化硅外延片代表產品，在功率電子領域需求旺盛。未來隨著下游行業發展速度加快，我國碳化硅同質外延片市場空間將得到進一步擴展。在技術方面，化學氣相沉積法適合進行連續化生產，為碳化硅同質外延片主流制備方法。未來隨著本土企業持續發力，我國碳化硅同質外延片行業景氣度將進一步提升。
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