碳化硅同質(zhì)外延片，又稱SiC同質(zhì)外延片，指采用化學(xué)氣相沉積工藝制成的襯底與外延層材質(zhì)均為碳化硅的外延片。與碳化硅異質(zhì)外延片相比，碳化硅同質(zhì)外延片具備晶格匹配度高、缺陷控制精準(zhǔn)、表面質(zhì)量好、工藝兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在射頻電子、功率電子以及光電子等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。
在應(yīng)用需求帶動(dòng)下，我國(guó)碳化硅外延片市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，2024年達(dá)到近20億元。按照材料一致性以及工藝特性不同，碳化硅外延片可分為碳化硅異質(zhì)外延片以及碳化硅同質(zhì)外延片兩種類型。碳化硅同質(zhì)外延片綜合性能優(yōu)良，應(yīng)用范圍較廣，為碳化硅外延片市場(chǎng)主流產(chǎn)品。未來(lái)伴隨碳化硅外延片行業(yè)發(fā)展速度加快，碳化硅同質(zhì)外延片市場(chǎng)空間將得到進(jìn)一步擴(kuò)展。
化學(xué)氣相沉積法（CVD）為碳化硅同質(zhì)外延片主流制備方法，該法指在高溫條件下，將硅和碳的氣相化合物在碳化硅基片上沉積，經(jīng)過(guò)充分反應(yīng)后制得成品，可細(xì)分為熱絲化學(xué)氣相沉積法（HWCVD）、離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）等，該法具備參數(shù)易控制、成品質(zhì)量好、操作流程簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)。未來(lái)隨著技術(shù)進(jìn)步，碳化硅同質(zhì)外延片產(chǎn)量及質(zhì)量將得到進(jìn)一步提升。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《
2025年全球及中國(guó)碳化硅同質(zhì)外延片（SiC同質(zhì)外延片）產(chǎn)業(yè)深度研究報(bào)告》顯示，碳化硅同質(zhì)外延片在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景，主要包括射頻電子、功率電子以及光電子等。在功率電子領(lǐng)域，碳化硅同質(zhì)外延片可用于新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)以及充電樁中，該領(lǐng)域?yàn)槠渥畲笮枨蠖耍急冗_(dá)到近六成。受益于應(yīng)用需求日益旺盛，碳化硅同質(zhì)外延片行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)將持續(xù)向好。
我國(guó)碳化硅同質(zhì)外延片主要生產(chǎn)企業(yè)包括希科半導(dǎo)體、中電科、天科合達(dá)等。希科半導(dǎo)體專注于半導(dǎo)體碳化硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，已具備8英寸碳化硅同質(zhì)外延片規(guī)模化生產(chǎn)實(shí)力，技術(shù)水平位居行業(yè)領(lǐng)先。
新思界
行業(yè)分析人士表示，碳化硅同質(zhì)外延片作為碳化硅外延片代表產(chǎn)品，在功率電子領(lǐng)域需求旺盛。未來(lái)隨著下游行業(yè)發(fā)展速度加快，我國(guó)碳化硅同質(zhì)外延片市場(chǎng)空間將得到進(jìn)一步擴(kuò)展。在技術(shù)方面，化學(xué)氣相沉積法適合進(jìn)行連續(xù)化生產(chǎn)，為碳化硅同質(zhì)外延片主流制備方法。未來(lái)隨著本土企業(yè)持續(xù)發(fā)力，我國(guó)碳化硅同質(zhì)外延片行業(yè)景氣度將進(jìn)一步提升。
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