氮化硅陶瓷基板，指以氮化硅為主體材料制成的新型電子陶瓷基板。與其他陶瓷基板相比，氮化硅陶瓷基板具備熱膨脹系數低、電絕緣性好、機械強度高等優勢，在電力系統、新能源汽車以及軌道交通等眾多領域擁有巨大應用潛力。
成型為氮化硅陶瓷基板制備關鍵環節，主要包括流延成型法、軋膜成型法以及干壓成型法三種。流延成型法指將氮化硅粉末、分散劑以及有機溶劑相混合，經球磨后加入粘接劑，經過二次球磨、流延成型等流程制得成品，該法具備運行成本低、生產效率高、成品質量好等優勢，可滿足0.3~0.6ｍｍ厚度氮化硅陶瓷基板制備需求。
氮化硅陶瓷基板以氮化硅陶瓷（Si3N4）為原材料制成。與其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷具備高溫穩定性好、斷裂韌性高、硬度高等優勢，應用范圍較廣。硅粉直接氮化法、碳熱還原二氧化硅法、硅酰亞胺分解法以及自蔓延高溫合成法等為氮化硅陶瓷主要制備方法。隨著技術進步，我國氮化硅陶瓷產量有所提升，這將為氮化硅陶瓷基板行業發展奠定良好基礎。
氮化硅陶瓷基板綜合性能優良，在眾多高新技術領域擁有巨大應用潛力。在電力系統中，氮化硅陶瓷基板可用于風電變流器、光伏逆變器、高壓直流輸電系統（HVDC）以及智能電網固態變壓器中；在新能源汽車領域，其可用于汽車充放電系統中，該領域為其最大需求端，占比達到近八成；在軌道交通領域，其可用于高鐵牽引變流器中。
根據新思界產業研究中心發布的《
2025-2029年全球及中國氮化硅陶瓷基板行業研究及十五五規劃分析報告》顯示，在應用需求拉動下，全球氮化硅陶瓷基板市場空間不斷擴展。2024年全球氮化硅陶瓷基板市場規模達到近5億美元，同比增長超過15%。未來伴隨技術創新水平提升，氮化硅陶瓷基板行業發展速度將進一步加快。預計到2030年，全球氮化硅陶瓷基板市場規模將突破12億美元。
全球氮化硅陶瓷基板市場主要集中于日本，代表企業包括日本東芝株式會社（TOSHIBA）、日本特殊陶業株式會社（Niterra）、日本丸和公司（MARUWA）等。日本東芝已掌握高性能氮化硅陶瓷基板核心準備技術，產品銷量位居全球領先。
新思界
行業分析人士表示，在本土方面，金冠電氣、旭光電子、臻璟新材料、國研新材、中材高新氮化物等為我國氮化硅陶瓷基板生產商。金冠電氣已具備常規導熱氮化硅陶瓷基板自主研發及生產實力，未來有望成為我國氮化硅陶瓷基板代表企業。
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