氧化鈰CMP漿料（CeO2-CMP漿料）在超大規模集成電路市場中發展空間大

　　氧化鈰CMP漿料（CeO2-CMP漿料），是應用在化學機械拋光過程中的漿料的一種，其以氧化鈰（CeO2）為研磨劑，其他成分還包括表面活性劑、pH值調節劑、分散劑、穩定劑、氧化劑等。

 

　　晶圓表面不平整，則會導致光刻膠涂覆厚度不均勻，以及光線無法覆蓋整個區域，進而導致光刻質量下降，因此晶圓平坦化處理極為重要。化學機械拋光（CMP）采用化學腐蝕與機械研磨相結合的方式對晶圓表面進行拋光，在此過程中，CMP漿料不可或缺。

 

　　氧化鈰CMP漿料中，核心成分為研磨顆粒，采用納米級氧化鈰粉末，均勻分散在溶液中，氧化鈰的粒度均勻度、在溶液中的分散均勻度與濃度，均會影響晶圓表面材料（例如氧化物、金屬殘留物）的去除率以及表面缺陷率。研磨顆粒的硬度也是影響晶圓表面材料去除效率與效果的重要因素，對比二氧化硅、氧化鋁，氧化鈰硬度較高，拋光能力相對更強。

 

　　氧化鈰，也稱二氧化鈰，化學式CeO2，立方螢石結構，具有密度高、熔點高、化學性質穩定、不溶于水/酸/堿、硬度適中等特點，是一種重要的稀土拋光材料，可用于光學玻璃、晶圓等拋光領域。氧化鈰水溶液中的鈰離子擁有氧化還原特性，可以與材料表面發生化學反應，氧化鈰是硬質納米顆粒，可以對材料表面施加摩擦力，憑借獨特的化學機械協同機制，氧化鈰CMP漿料的拋光性能優良。

 

　　根據新思界產業研究中心發布的《2025年中國氧化鈰CMP漿料（CeO2-CMP漿料）市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，憑借二氧化硅去除速度快、選擇性高、平坦化效率高等優點，氧化鈰CMP漿料在超大規模集成電路層間介質膜平坦化方面應用重要性日益突出。預計2025-2030年，全球氧化鈰CMP漿料市場規模將以7.7%左右的年復合增長率上升；預計發展到2030年，全球氧化鈰CMP漿料市場規模將達到4.8億美元以上。

 

　　氧化鈰CMP漿料可以與其他成分的CMP漿料復合使用。例如球形顆粒規則、粒度分布均勻的CeO2@SiO2復合顆粒，使納米CeO2顆粒包覆在SiO2顆粒表面，可以顯著改善拋光后材料表面的劃痕問題，進一步提高晶圓拋光質量。

 

　　新思界行業分析人士表示，在全球范圍內，氧化鈰CMP漿料生產企業主要有德國Merck KGaA、日本Resonac、日本AGC、中國安集微電子科技（上海）股份有限公司等，其中，日本Resonac市場占有率最高。在我國本土企業中，安集微電子是氧化鈰CMP漿料市場中的領先企業，此外還有幾家企業正在積極布局。我國晶圓代工產能正在快速擴大，有利于本土氧化鈰CMP漿料企業擴張市場份額。

 

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