三(二甲胺基)環戊二烯基鋯（CpZr）為高介電常數前驅體材料 相關布局企業不斷增多

　　三(二甲胺基)環戊二烯基鋯，別稱三(二甲胺)環戊二烯基鋯、環戊二烯基三(二甲胺基)鋯，英文簡稱CpZr，Cas號33271-88-4，分子式C11H23N3Zr，分子量288.55，外觀為淺黃色液體狀，相對密度1.26g/cm3，對空氣、水汽極為敏感。

 

　　根據新思界產業研究中心發布的《2025年中國三（二甲胺基）環戊二烯基鋯（CpZr）市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，三(二甲胺基)環戊二烯基鋯是一種高介電常數前驅體材料，在半導體制造過程中，利用化學氣相沉積法（CVD）、原子層沉積法（ALD）等工藝，可以在基底材料之上沉積得到二氧化鋯（ZrO2）薄膜，在晶體管制備領域發展潛力大。

 

　　在半導體產業中，傳統的高介電常數（High-K）材料是二氧化硅（SiO2），通常采用二氧化硅薄膜作為晶體管柵極介電層。隨著芯片制程工藝縮小，晶體管尺寸不斷減小，晶體管柵極介電層厚度隨之減薄，當二氧化硅薄膜減薄到一定厚度時，柵極介電層漏電情況明顯提升，使得晶體管尺寸進一步縮小受到限制，因此需要采用新型高介電常數材料來替代二氧化硅，二氧化鋯是其中一種。由此來看，作為二氧化鋯薄膜前驅體材料的三(二甲胺基)環戊二烯基鋯市場前景廣闊。

 

　　我國是半導體產銷大國，高介電常數前驅體材料開發與應用需求迫切，因此三(二甲胺基)環戊二烯基鋯相關布局企業不斷增多。現階段，我國三(二甲胺基)環戊二烯基鋯提供商主要有南京大學材料MO源研究開發中心、合肥安德科銘半導體科技有限公司（銅陵安德科銘電子材料科技有限公司）、安徽博泰電子材料有限公司等，其中，銅陵安德科銘電子材料科技有限公司擁有5噸/年的三(二甲胺基)環戊二烯基鋯生產能力。

 

　　進入2025年以來，我國進入環評階段的三(二甲胺基)環戊二烯基鋯建設項目主要有：浙江先導微電子科技有限公司“集成電路關鍵材料基地產業化擴建項目”，首批次建設30噸/年三(二甲胺基)環戊二烯基鋯產能；太和氣體（荊州）有限公司“高端電子化學品材料項目”，包括三(二甲胺基)環戊二烯基鋯30噸/年生產線；江西華特電子化學品有限公司“華特電子永修半導體新材料中試基地項目”，一期建設項目包括三(二甲胺基)環戊二烯基鋯產能。

 

　　新思界行業分析人士表示，我國三(二甲胺基)環戊二烯基鋯制備方法相關專利還在增多，主要有江蘇南大光電材料股份有限公司“三(二甲胺基)環戊二烯基鋯的制備方法”、銅陵安德科銘電子材料科技有限公司“三(二甲胺基)環戊二烯基鋯及其制備方法”、浙江博瑞電子科技有限公司“一種三(二甲胺基)環戊二烯基鋯的新制備方法”、洛陽中硅高科技有限公司“一種三(二甲胺基)環戊二烯基鋯的制備方法”等。

 

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