三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯，別稱三(二甲胺)環(huán)戊二烯基鋯、環(huán)戊二烯基三(二甲胺基)鋯，英文簡(jiǎn)稱CpZr，Cas號(hào)33271-88-4，分子式C11H23N3Zr，分子量288.55，外觀為淺黃色液體狀，相對(duì)密度1.26g/cm3，對(duì)空氣、水汽極為敏感。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2025年中國(guó)三（二甲胺基）環(huán)戊二烯基鋯（CpZr）市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報(bào)告》顯示，三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯是一種高介電常數(shù)前驅(qū)體材料，在半導(dǎo)體制造過程中，利用化學(xué)氣相沉積法（CVD）、原子層沉積法（ALD）等工藝，可以在基底材料之上沉積得到二氧化鋯（ZrO2）薄膜，在晶體管制備領(lǐng)域發(fā)展?jié)摿Υ蟆?/div>
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，傳統(tǒng)的高介電常數(shù)（High-K）材料是二氧化硅（SiO2），通常采用二氧化硅薄膜作為晶體管柵極介電層。隨著芯片制程工藝縮小，晶體管尺寸不斷減小，晶體管柵極介電層厚度隨之減薄，當(dāng)二氧化硅薄膜減薄到一定厚度時(shí)，柵極介電層漏電情況明顯提升，使得晶體管尺寸進(jìn)一步縮小受到限制，因此需要采用新型高介電常數(shù)材料來替代二氧化硅，二氧化鋯是其中一種。由此來看，作為二氧化鋯薄膜前驅(qū)體材料的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯市場(chǎng)前景廣闊。
我國(guó)是半導(dǎo)體產(chǎn)銷大國(guó)，高介電常數(shù)前驅(qū)體材料開發(fā)與應(yīng)用需求迫切，因此三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯相關(guān)布局企業(yè)不斷增多。現(xiàn)階段，我國(guó)三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯提供商主要有南京大學(xué)材料MO源研究開發(fā)中心、合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司（銅陵安德科銘電子材料科技有限公司）、安徽博泰電子材料有限公司等，其中，銅陵安德科銘電子材料科技有限公司擁有5噸/年的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯生產(chǎn)能力。
進(jìn)入2025年以來，我國(guó)進(jìn)入環(huán)評(píng)階段的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯建設(shè)項(xiàng)目主要有：浙江先導(dǎo)微電子科技有限公司“集成電路關(guān)鍵材料基地產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)建項(xiàng)目”，首批次建設(shè)30噸/年三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯產(chǎn)能；太和氣體（荊州）有限公司“高端電子化學(xué)品材料項(xiàng)目”，包括三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯30噸/年生產(chǎn)線；江西華特電子化學(xué)品有限公司“華特電子永修半導(dǎo)體新材料中試基地項(xiàng)目”，一期建設(shè)項(xiàng)目包括三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯產(chǎn)能。
新思界
行業(yè)分析人士表示，我國(guó)三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯制備方法相關(guān)專利還在增多，主要有江蘇南大光電材料股份有限公司“三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的制備方法”、銅陵安德科銘電子材料科技有限公司“三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯及其制備方法”、浙江博瑞電子科技有限公司“一種三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的新制備方法”、洛陽(yáng)中硅高科技有限公司“一種三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的制備方法”等。
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