三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯,別稱三(二甲胺)環(huán)戊二烯基鋯、環(huán)戊二烯基三(二甲胺基)鋯,英文簡(jiǎn)稱CpZr,Cas號(hào)33271-88-4,分子式C11H23N3Zr,分子量288.55,外觀為淺黃色液體狀,相對(duì)密度1.26g/cm3,對(duì)空氣、水汽極為敏感。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2025年中國(guó)三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯(CpZr)市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報(bào)告》顯示,三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯是一種高介電常數(shù)前驅(qū)體材料,在半導(dǎo)體制造過程中,利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)、原子層沉積法(ALD)等工藝,可以在基底材料之上沉積得到二氧化鋯(ZrO2)薄膜,在晶體管制備領(lǐng)域發(fā)展?jié)摿Υ蟆?/div>
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,傳統(tǒng)的高介電常數(shù)(High-K)材料是二氧化硅(SiO2),通常采用二氧化硅薄膜作為晶體管柵極介電層。隨著芯片制程工藝縮小,晶體管尺寸不斷減小,晶體管柵極介電層厚度隨之減薄,當(dāng)二氧化硅薄膜減薄到一定厚度時(shí),柵極介電層漏電情況明顯提升,使得晶體管尺寸進(jìn)一步縮小受到限制,因此需要采用新型高介電常數(shù)材料來替代二氧化硅,二氧化鋯是其中一種。由此來看,作為二氧化鋯薄膜前驅(qū)體材料的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯市場(chǎng)前景廣闊。
我國(guó)是半導(dǎo)體產(chǎn)銷大國(guó),高介電常數(shù)前驅(qū)體材料開發(fā)與應(yīng)用需求迫切,因此三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯相關(guān)布局企業(yè)不斷增多。現(xiàn)階段,我國(guó)三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯提供商主要有南京大學(xué)材料MO源研究開發(fā)中心、合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司(銅陵安德科銘電子材料科技有限公司)、安徽博泰電子材料有限公司等,其中,銅陵安德科銘電子材料科技有限公司擁有5噸/年的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯生產(chǎn)能力。
進(jìn)入2025年以來,我國(guó)進(jìn)入環(huán)評(píng)階段的三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯建設(shè)項(xiàng)目主要有:浙江先導(dǎo)微電子科技有限公司“集成電路關(guān)鍵材料基地產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)建項(xiàng)目”,首批次建設(shè)30噸/年三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯產(chǎn)能;太和氣體(荊州)有限公司“高端電子化學(xué)品材料項(xiàng)目”,包括三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯30噸/年生產(chǎn)線;江西華特電子化學(xué)品有限公司“華特電子永修半導(dǎo)體新材料中試基地項(xiàng)目”,一期建設(shè)項(xiàng)目包括三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯產(chǎn)能。
新思界
行業(yè)分析人士表示,我國(guó)三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯制備方法相關(guān)專利還在增多,主要有江蘇南大光電材料股份有限公司“三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的制備方法”、銅陵安德科銘電子材料科技有限公司“三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯及其制備方法”、浙江博瑞電子科技有限公司“一種三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的新制備方法”、洛陽(yáng)中硅高科技有限公司“一種三(二甲胺基)環(huán)戊二烯基鋯的制備方法”等。
關(guān)鍵字: