III-V族半導體，是以III族元素與V族元素化合形成的化合物半導體材料，常用的III族元素主要是硼、鋁、鎵、銦，常用的V族元素主要是氮、磷、砷、銻。III-V族半導體既包括第三代半導體材料，例如GaN，也包括第四代半導體材料，以GaSb、InAs為代表。從帶隙來看，第四代半導體材料主要有兩大發展方向，一是窄帶隙半導體，二是超寬帶隙半導體。III-V族半導體在第四代窄帶隙半導體中占據核心地位。
以第三代半導體材料來看，III-V族半導體GaN發展與另一材料SiC并重，地位重要性突出。以第四代半導體材料來看，常見的III-V族半導體種類多樣，主要有GaSb、InAs、InSb、InAsSb、InGaAs、AlGaSb、InAlSb、AlGaAsSb、GaInAsSb等，包括二元、三元、四元化合物，其中銻化物半導體最為經典；除直接應用外，兩種不同的III-V族半導體可以納米薄層的形式交替生長形成二類超晶格材料，是新一代紅外發光材料，其禁帶寬度可調節、波長覆蓋范圍寬。
根據新思界產業研究中心發布的
《2022-2026年III-V族半導體行業深度市場調研及投資策略建議報告》顯示，III-V族半導體的電子遷移率高、大尺寸晶體均勻性好、晶格匹配性好、能耗低、制備工藝較為簡單，產品綜合性能優異且可實現大規模生產，并具有設計靈活性高、自由度高的特點，應用領域涉及軍用與民用，包括紅外探測、激光、光電芯片等方面，可廣泛應用在微電子、集成電路、紅外探測器、激光器、通信、光伏發電、醫學診斷、環境監測、武器裝備、航空航天等領域，擁有極大發展空間。
III-V族半導體作為第三代、第四代半導體材料，研制及應用直接影響高科技產業發展，因此21世紀以來受到全球多個國家的重視，其先進技術被壟斷、出口受到限制。我國電子信息產業發展迅速，微電子、集成電路等生產規模持續擴大，高科技產業不斷壯大，航空航天、軍工裝備生產實力不斷增強，新型半導體材料必須實現自主生產，推動了我國III-V族半導體行業發展速度加快。
新思界
行業分析人士表示，在我國，三安光電是代表性III-V族半導體廠商之一，產品線涉及外延片、芯片、光通訊器件、射頻器件、濾波器、功率半導體等；2021年7月，眾合科技子公司焜騰紅外建成并投產III-V族（砷化鎵、磷化銦、氮化鎵）化合物半導體芯片工藝加工平臺；2021年9月，晉城市光機電產業研究院建設的銻化物半導體項目進入試運行階段，預計2022年芯片產能將達到1萬片，是我國首條第四代半導體生產線。我國III-V族半導體生產規模及下游應用規模正在逐步擴大，行業未來發展前景極為廣闊。
