2024年中國(guó)硅通孔（TSV）拋光液市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及進(jìn)入壁壘分析

 
        硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）技術(shù)是三維集成電路（3D IC）和芯片堆疊技術(shù)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，是通過(guò)硅通道垂直穿過(guò)組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。硅通孔（TSV）拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）過(guò)程中使用的一種特殊液體，其主要作用是在TSV技術(shù)過(guò)程中去除硅片上的多余材料，實(shí)現(xiàn)全局平坦化，以確保后續(xù)工藝的精確性。
 
        硅通孔（TSV）技術(shù)作為先進(jìn)封裝技術(shù)近年來(lái)受到廣泛關(guān)注，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不斷推進(jìn)。隨著半導(dǎo)體特征尺寸不斷逼近物理極限，摩爾定律已經(jīng)無(wú)法指導(dǎo)芯片發(fā)展，進(jìn)一步縮小芯片尺寸實(shí)現(xiàn)芯片性能翻倍難以持續(xù)，先進(jìn)封裝技術(shù)成為滿足芯片持續(xù)增長(zhǎng)的性能需求的解決方案之一。其中硅通孔（TSV）互連結(jié)構(gòu)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域中是最為普遍的結(jié)構(gòu)。
 
        CMP化學(xué)機(jī)械拋光是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。CMP在硅通孔（TSV）中主要應(yīng)用于經(jīng)過(guò)銅淀積后的TSV正面拋光和位于晶圓表面的 TSV 結(jié)構(gòu)的銅暴露及其平坦化。硅通孔（TSV）拋光主要分為銅膜的粗拋、精拋以及阻擋層拋光幾個(gè)階段。CMP化學(xué)機(jī)械拋光需要用到拋光墊和拋光液材料，其中拋光液是拋光材料中占比最高的材料。隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的快速發(fā)展，CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝步驟增長(zhǎng)，對(duì)于拋光液等拋光材料的消耗量也在持續(xù)增加，硅通孔（TSV）拋光液市場(chǎng)發(fā)展空間大。
 
        新思界產(chǎn)業(yè)研究中心整理發(fā)布的《2024-2028年中國(guó)硅通孔（TSV）拋光液市場(chǎng)行情監(jiān)測(cè)及未來(lái)發(fā)展前景研究報(bào)告》顯示，硅通孔（TSV）拋光液由多種組分構(gòu)成，包括氧化劑、磨粒、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑、pH調(diào)節(jié)劑及pH緩沖劑等。硅通孔（TSV）拋光液產(chǎn)品行業(yè)進(jìn)入壁壘較高，包括技術(shù)壁壘、客戶壁壘、資金壁壘等。技術(shù)方面，拋光液產(chǎn)品類型較多，硅通孔（TSV）拋光液作為新產(chǎn)品，對(duì)于企業(yè)的技術(shù)儲(chǔ)備和研發(fā)人員具有較高要求，同時(shí)先進(jìn)入企業(yè)如安集科技在硅通孔（TSV）拋光液領(lǐng)域已經(jīng)有所布局；客戶方面，下游用戶對(duì)于硅通孔（TSV）拋光液供應(yīng)商有認(rèn)證要求，形成穩(wěn)定的供應(yīng)關(guān)系后較少更換；資金方面，硅通孔（TSV）拋光液作為關(guān)鍵半導(dǎo)體原材料，其研發(fā)需要長(zhǎng)期進(jìn)行，過(guò)程中需要投入大量資金，對(duì)企業(yè)的資金實(shí)力要求高。
 
        近年來(lái)，部分企業(yè)看好硅通孔（TSV）技術(shù)前景，新建生產(chǎn)線，促使中國(guó)硅通孔（TSV）封裝產(chǎn)能規(guī)模得到擴(kuò)張。硅通孔（TSV）拋光液作為其關(guān)鍵材料之一，其市場(chǎng)具有較大的空間，在今后幾年市場(chǎng)需求有望高速增長(zhǎng)。

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