集成電路技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)CMP鎢拋光液市場(chǎng)需求持續(xù)增長

        鎢具有高熔點(diǎn)、高密度、高硬度、良好的熱導(dǎo)性以及低熱膨脹系數(shù)，在半導(dǎo)體中可用于鎢柵極、接觸孔（Contact）、通孔（Via），接觸孔用于將前段工藝制備的晶體管和后段工藝的第一層金屬連接，通孔用于將相鄰金屬層之間的連接。鎢拋光液是用于半導(dǎo)體制造過程中的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝，可使鎢插塞表面和旁邊的層間絕緣介質(zhì)層完全平坦化，避免鎢插塞凹陷現(xiàn)象，使后續(xù)多層金屬互連容易進(jìn)行，有益于改進(jìn)器件接觸/互連性能和提高集成電路密度。
 
        集成電路技術(shù)進(jìn)步主要表現(xiàn)在持續(xù)提高集成密度、速度和可靠性。實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的主要途徑是不斷縮小晶體管和互連線的特征尺寸，使單元器件微小型化。但是隨著半導(dǎo)體特征尺寸不斷逼近物理極限，多層化、高性能的三維立體結(jié)構(gòu)已成為發(fā)展趨勢(shì)。鎢由于優(yōu)良的抗電遷徙性能、應(yīng)力低，而且能夠與硅形成很好的歐姆接觸，可以作為多層布線中的接觸窗及介層洞的填充金屬材料。
 
        新思界整理發(fā)布的《2024-2028年中國鎢拋光液市場(chǎng)行情監(jiān)測(cè)及未來發(fā)展前景研究報(bào)告》顯示，鎢拋光液的作用是在CMP過程中有效地去除鎢材料，同時(shí)保持晶圓表面的高質(zhì)量和低缺陷率，大量用于存儲(chǔ)芯片制造工藝，在邏輯工藝中僅用于部分工藝段。鎢拋光液主要由研磨劑、氧化劑、鎢催化劑、穩(wěn)定劑等組成，根據(jù)萬華化學(xué)的專利CN117947422A“一種長時(shí)間高速率的鎢化學(xué)機(jī)械拋光液及其應(yīng)用“顯示，其鎢化學(xué)機(jī)械拋光液包含0.1%-5%研磨劑、0.5~5%的氧化劑、0.001％～0.05％的鎢催化劑、0.01%-0.05%的穩(wěn)定劑、0.005%-0.05%的表面質(zhì)量改善劑、0.001%-0.003%的氧化酶、余量為去離子水。鎢拋光液濃度、研磨劑種類和大小、酸堿性、流速等對(duì)拋光速度和加工質(zhì)量均有影響。
 
        鎢拋光液作為CMP工藝中的關(guān)鍵材料，其市場(chǎng)需求隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展而增長。當(dāng)前國內(nèi)主要的鎢拋光液企業(yè)包括安集科技、鼎龍股份等。安集科技主營業(yè)務(wù)為化學(xué)機(jī)械拋光液和功能性濕電子化學(xué)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，其鎢化學(xué)機(jī)械拋光液主要應(yīng)用在存儲(chǔ)領(lǐng)域，在3D NAND領(lǐng)域也成為主流供應(yīng)商。鼎龍股份一家從事集成電路芯片設(shè)計(jì)及制程工藝材料、光電顯示材料、打印復(fù)印通用耗材等研發(fā)、生產(chǎn)及服務(wù)的企業(yè)，拋光液方面生產(chǎn)有介電材料拋光液、以自產(chǎn)氧化鋁研磨粒子為基礎(chǔ)的金 屬拋光液、鎢拋光液、大硅片拋光液、多晶硅制程等。

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